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1)  gaps between contact surfaces
室温键合界面缝隙
2)  Bonding at room temperatures
室温键合
3)  bonding interface
键合界面
1.
At the beginning,the relative movement of the bonding interface mainly occurs between golden bumps of the chip and pads of the substrate,which breaks the oxide and the contamination layer of the interface surface and exposes fre.
通过比较分析两条曲线,揭示了热超声倒装键合强度的生成过程:在键合初始阶段,键合界面的相对运动主要发生在芯片金凸点与基板焊盘表面之间,并使其接触表面氧化层和污染层被破坏,裸露出新鲜原子,为金凸点与焊盘间的原子扩散并最终形成键合强度提供条件;随着键合的进行,芯片振动速度开始下降,而工具末端振动速度继续增大(即出现速度分离现象),工具末端和芯片间产生明显相对运动,表明键合强度已产生,芯片金凸点/基板焊盘间的结合力超过工具末端/芯片间的摩擦力;速度分离后芯片与工具末端的振动速度和位移曲线表明了超声振动能量部分耗散在芯片/工具的摩擦上。
2.
But the area of silicon becomes bigger than before, so there are bonding cavities in bonding interface and the bonding strength can t increase.
首先对SDB的工艺机理进行了说明,并分析了引起键合界面空洞的原因,提出了增强键合强度及控制键合界面电学特性的措施。
4)  room temperature wafer bonding
室温晶片键合
5)  Critical Crevice
临界缝隙
6)  Electrical resistance of the fused interface
键合界面阻抗
补充资料:UG自定义右键弹出菜单和快捷键

UG的右键弹出菜单包含了一些我们常用的功能,比如Roate、Fit等,为了使用的更加方便,我们也可以自己打造!打开UG安装目录下的UGII下的menus文件夹,里面包含了一些*.men和*.tbr,我们以文本方式打开它,发现也不难理解。例如,我们想在右键弹出菜单里面的roate和pan之间加入如图示的view下的orient功能,首先我们打开ug_main.men,查找orient,会看到下面的内容:



BUTTON UG_VIEW_REFRESH
LABEL &Refresh
BITMAP refresh_window.bmp
ACCELERATOR F5
ACTIONS STANDARD



CASCADE_BUTTON UG_VIEW_EDIT
LABEL O&peration



BUTTON UG_VIEW_ORIENT
LABEL Ori&ent...
ACTIONS STANDARD



参考上面部分我们会看出快捷键的定义是*ACCELERATOR来指定的,我们把红色部分即BUTTON UG_VIEW_ORIENT的LABEL下面加入一行ACCELERATOR Ctrl+Alt+O(这里可以自行定义,但不要和别的重复),保存,这样我们就把快捷键定义好了,然后我们选中红色部分复制。接着打开ug_view_popup.men,它就是右键弹出菜单的定义文件。为了把它放在roate和pan之间,我们把刚才复制的部分粘贴在下面图示的位置:



TOGGLE_BUTTON UG_VIEW_POPUP_ROTATE
LABEL R&otate
BITMAP rotate.bmp
ACCELERATOR F7
ACTIONS STANDARD



BUTTON UG_VIEW_ORIENT
LABEL Ori&ent...
ACCELERATOR Ctrl+Alt+O
ACTIONS STANDARD



TOGGLE_BUTTON UG_VIEW_POPUP_PAN
LABEL &Pan
BITMAP pan.bmp
ACCELERATOR F9
ACTIONS STANDARD

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