1) InP/Si wafer bonding
InP/Si晶片键合
3) wafer bonding
晶片键合
1.
A general wafer bonding criterion is deduced from minimum energy principle,which is developed by linear elastic thin plate theory.
由最小能量原理导出的键合条件出发,利用线性薄板理论,在同一理论模型框架下,通过量度键合过程能否进行的弹性应变能累积率,分析了晶片表面的宏观尺度的弯曲和微观尺度的起伏对晶片键合的影响,并对所得结果进行了详细讨论。
2.
The results indicate that the wafer bonding was of high quality and the thermal stress of bonding.
采用扫描电镜(SEM)和电子背散射衍射(EBSD)技术,观察和分析了GaAs和GaN晶片热压键合的界面热应力和晶片键合质量。
3.
Sequentially, the primary evaluation of the wafer bondingquality was realized.
通过分析不同工艺条件下所获得的键合片质量,包括键合率、缺陷分布以及键合强度等参数的比较,可以有助于理解晶片键合的机理,实现键合工艺的优化。
4) Si/InP interface
Si/InP界面
5) room temperature wafer bonding
室温晶片键合
6) low temperature wafer bonding
低温晶片键合
1.
The fundamental principles of wafer bonding are presented, and the necessity ofrealizing low temperature wafer bonding is also given.
简单介绍了晶片键合的基本原理,指出了实现低温晶片键合的必要性;通过对比低温晶片键合技术的实现方式及其在通信光电子器件中的应用,指明表面改性是实现低温晶片键合的最有效手段。
补充资料：无晶界玻璃相的无压烧结Si_(3)N_(4)材料
无晶界玻璃相的无压烧结Si_(3)N_(4)材料
翼 无晶界玻璃相的无几烧结siN材料
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条