1) eutectic bonding
共晶键合
1.
Study of low temperature eutectic bonding process for MEMS hermetic package;
MEMS器件气密性封装的低温共晶键合工艺研究
2.
The principle and approaches of eutectic bonding in MEMS packaging are described, followed by discussion of the processing and the development of some eutectic bondings such as Au-Si, Au-Sn, In-Sn.
叙述了MEMS封装中共晶键合的基本原理和方法 ,分析了Au Si、Au Sn、In Sn等共晶键合技术的具体工艺和发展 ,并对其应用作了介
3.
A novel Si/Ti/Au/Au/Ti/Si bonding method based on Au/ Si eutectic bonding was presented for forming a gas chamber.
运用Si/Ti/Au/Au/Ti/Si实现对探测器的金/硅共晶键合封装,形成气室,制备出探测器样品并初步得到响应。
2) wafer bonding
晶片键合
1.
A general wafer bonding criterion is deduced from minimum energy principle,which is developed by linear elastic thin plate theory.
由最小能量原理导出的键合条件出发,利用线性薄板理论,在同一理论模型框架下,通过量度键合过程能否进行的弹性应变能累积率,分析了晶片表面的宏观尺度的弯曲和微观尺度的起伏对晶片键合的影响,并对所得结果进行了详细讨论。
2.
The results indicate that the wafer bonding was of high quality and the thermal stress of bonding.
采用扫描电镜(SEM)和电子背散射衍射(EBSD)技术,观察和分析了GaAs和GaN晶片热压键合的界面热应力和晶片键合质量。
3.
Sequentially, the primary evaluation of the wafer bondingquality was realized.
通过分析不同工艺条件下所获得的键合片质量,包括键合率、缺陷分布以及键合强度等参数的比较,可以有助于理解晶片键合的机理,实现键合工艺的优化。
3) bonding crystal
键合晶体
1.
A acousto-optics Q-switched 1064nm short pulse width laser was reported,used LD end-pumped YVO4/Nd∶YVO4 bonding crystal.
利用半导体激光器(LD)端面泵浦YVO4/Nd∶YVO4键合晶体,实现声光调Q1064nm的窄脉宽激光输出。
4) resonance bonding
共振键合
6) Wafer Level Bonding
晶圆级键合
1.
Challenges,Trends and Solutions for 3D Interconnects in Lithography and Wafer Level Bonding Techniques
三维互连中光刻及晶圆级键合技术的挑战、趋势和解决方案(英文)
补充资料：共晶共沉淀
分子式：
CAS号：
性质：共沉淀法之一，指无法结晶的微量物质与常量物质产生共结晶沉淀而被载带出来。
CAS号：
性质：共沉淀法之一，指无法结晶的微量物质与常量物质产生共结晶沉淀而被载带出来。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条