1) Extreme ultraviolet lithography (EUVL)
极紫外线投影光刻
2) EUVL
极紫外投影光刻
1.
To study the two-mirror reduced projection optics for Extreme Ultraviolet Lithography (EUVL), Schwarzschild design form and flat field design form were investigated.
极紫外投影光刻(EUVL)两镜微缩投影物镜通常采用Schwarzschild结构和平场结构。
2.
Some problems were brought from the short wavelength of EUVL.
针对极紫外投影光刻 ( Extreme Ultraviolet Lithography,简称 EUVL)工作波长短的特点及由此带来的一些问题 ,对 EUVL微缩投影物镜的结构参数进行分析选择 ,设计了离轴照明方式的 Schwarzschild微缩投影成像物镜。
3.
A laser-produced plasma(LPP) source with liquid aerosol spray target and nanosecond laser was developed,based on both soft X-ray radiation metrology and extreme ultraviolet projection lithography(EUVL).
基于软X射线辐射计量和极紫外投影光刻(EUVL)应用,研制了一台使用纳秒激光器的液体微滴喷射靶激光等离子体(LPP)极紫外光源。
4) EUVL
极紫外光刻
1.
Extreme ultraviolet lithography(EUVL) is one of all candidate next-generation lithography technologies targeting 45 nm features,the industrial throughput should be more than 80 wafers-per-hour.
极紫外光刻(EUVL)技术是实现45 nm特征尺寸的候选技术之一,产业化设备要求300 mm硅片的产率大于每小时80片(80 wafer/h),此时入射到掩模版上的极紫外光功率密度很高,掩模版上的吸收层和Mo/Si多层膜将分别吸收100%和35%的入射光能量,从而导致其热变形,引起光刻性能下降,因此必须分析和控制掩模热变形。
2.
The status of extreme ultraviolet lithography (EUVL),as the technology for nextgeneration lithography (NGL), in a rapidly developing stage is analyzed.
分析了极紫外光刻技术作为下一代光刻技术的首选技术目前飞速发展阶段的状况,表明欧、美、日、俄等国家和地区在该领域集中了大量的人力、物力的目标是将光刻精度提高到50nm。
3.
The typical NGL technologies, like immersion ArF lithography, extreme ultraviolet lithography (EUVL) and electron beam Projection lithography (EPL), are compared.
通过比较几种具有较大潜力的NGL(浸没式ArF光刻机、极紫外光刻和电子束曝光 )的特点、开发现状和有待解决的关键技术 ,预言将来可能是以极紫外光刻、电子束曝光和某种常规光刻机结合的方式来实现工业、前沿科学技术需要的各种微米 /纳米级图形的制备。
5) extreme ultraviolet lithography
极端远紫外线光刻
6) ultraviolet lithography
紫外线光刻
补充资料：投影光刻
分子式：
CAS号：
性质：一种把图像投影在光敏材料上的方法。它可免于光学掩模版和光敏材料涂层的接触。
CAS号：
性质：一种把图像投影在光敏材料上的方法。它可免于光学掩模版和光敏材料涂层的接触。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条