3) UV lithography
紫外厚胶光刻
1.
The UV lithography technology of SU-8 photoresist and its application in 3-D MEMS inductors are re-ported.
研究了紫外厚胶光刻技术在三维微机械电感中的应用。
4) Deep?UV resist
远紫外光刻胶
6) ultraviolet positive photoresist
紫外正性光刻胶
补充资料:紫外光刻胶
分子式:
CAS号:
性质:用紫外光作曝光光源的光刻胶。一般是指分光感度波长为300~450nm的近紫外抗蚀剂。紫外光刻胶有负性、正性和正-负性两用三类。负性的代表品种是聚乙烯醇肉桂酸酯、环化橡胶系抗蚀剂,正性代表品种是重氮萘醌系抗蚀剂,正负性抗蚀剂是为了兼顾其既有正性又有负性的性能,往往会给全面照顾抗蚀剂应用上带来一些难题,目前尚未商品化。
CAS号:
性质:用紫外光作曝光光源的光刻胶。一般是指分光感度波长为300~450nm的近紫外抗蚀剂。紫外光刻胶有负性、正性和正-负性两用三类。负性的代表品种是聚乙烯醇肉桂酸酯、环化橡胶系抗蚀剂,正性代表品种是重氮萘醌系抗蚀剂,正负性抗蚀剂是为了兼顾其既有正性又有负性的性能,往往会给全面照顾抗蚀剂应用上带来一些难题,目前尚未商品化。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条