1) thermal chemical vapor deposition
热化学气相淀积
1.
Using standard photolithography,patterned carbon nanotube line arrays were fabricated on silicon substrates by thermal chemical vapor deposition.
采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜,然后用热化学气相淀积(T-CVD)的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列,用扫描电镜和拉曼光谱仪对碳纳米管进行了表征。
2) thermal cvd
热化学汽相淀积
3) CVD
化学气相淀积
1.
Development of double-chamber UHV/CVD system;
双生长室超高真空化学气相淀积系统的研制
2.
The applications of CVD in the preparations of ultrafine powders,nanocompositers,and functionally gradient materials were discussed,the processing features of CVD,the properties and the microstructures of the materials thus prepared were analyzed with specific examples.
本文讨论了化学气相淀积在超细粉，纳米复合材料及梯度功能材料制备中的应用，并结合实例分析了化学气相淀积的工艺特性及所制备材料的性能、显微组织特点。
3.
12%,were epitaxially deposited on Si(100) substrates via chemical vapor deposition(CVD) process,using C2H4 and SiH4 as C and Si resources,respectively.
用化学气相淀积方法,以乙烯为碳源、硅烷为硅源,在Si(100)衬底上外延生长了替位式C组分达1。
4) chemical vapor deposition
化学气相淀积
1.
Porous γ -Al 2O 3 ceramic membranes were modified by atomic layer chemical vapor deposition technique.
采用原子层控制生长化学气相淀积方法对多孔γ -Al2 O3陶瓷膜进行缩孔修饰研究 。
2.
SiCl_4 and NH_3 as its precursors ,amorphous Si_3N_4 ultrafine powder was synthesized with high purity and narrow size distribution by radio frequency plasma chemical vapor deposition.
利用高频等离子体化学气相淀积方法以四氯化硅及氨为原料，合成了粒度小、粒径分布均匀、氮含量为36。
3.
Ultrafine AIN powder was synthesized by chemical vapor deposition of anhydrous AlCl_3 and NH_3 at 700～1000℃.
在700～1000℃下,用无水AlCl_3和NH_3的化学气相淀积反应合成得到了AlN超细粉末,并研究了反应温度、总流量、AlCl_3浓度等对AlN粉末理化性质的影响。
5) Rapid Thermal Process/Very Low Pressure-Chemical Vapor Deposition
快速加热/超低压-化学气相淀积
6) chemical vapor deposition passivation
化学气相淀积钝化法
补充资料：热化
热化 热化 ①病因病理学术语。指寒邪化热入里，寒从热化。 ②伤寒少阴病有热化之证。《伤寒论·辨少阴病脉证治》：“少阴病得之二三日以上，心中烦，不得卧，黄连阿胶汤主之。” ③五运学说术语。《素问·至真要大论》：“少阴司天为热化。”参少阴热化条。 ④治法。使阴寒之气转化为温热。《素问·六元正纪大论》：“同寒者以热化。”（即岁运与司天之气皆属于寒者，应调以温热之法治疗。）
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条