1) VLP-CVD
超低压化学气相淀积
1.
Temperature Dependence of Self organized Growth of Ge Quantum Dots on Si Substrate by VLP-CVD;
对利用超低压化学气相淀积 (VLP CVD)技术在Si上自组织生长Ge量子点的特征进行了研究 ,发现生长温度对Ge量子点尺寸分布和密度的影响不同于分子束外延 (MBE)的结果 ,这种现象与VLP CVD表面控制反应模式有关。
2) Rapid Thermal Process/Very Low Pressure-Chemical Vapor Deposition
快速加热/超低压-化学气相淀积
3) LPCVD
低压化学气相淀积
1.
Research on Polysilicon Thin Film Technics by LPCVD;
低压化学气相淀积多晶硅薄膜工艺研究
2.
MOLECULAR DYNAMICS SIMULATION OF THE THICKNESS OF POLYCRYSTALLINE Si MEMBRANE PREPARED BY LPCVD;
低压化学气相淀积多晶硅薄膜膜厚的分子动力学模拟
3.
The internal stress in silicon-nitride thin films prepared by low-pressure chemical vapor deposition(LPCVD) was studied measured by XP-2 stylus profilometer.
研究了低压化学气相淀积SiN(LPCVD)介质薄膜的内应力,采用XP-2型台阶仪测量了SiN介质薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺参数,观察了反应气体流量比、淀积温度、反应室压力等因素对SiN薄膜内应力的影响。
4) 3UCVD
超高真空、超低压、深紫外光能辅助化学气相淀积
5) UHV/CVD
超高真空化学气相淀积
1.
Ge_xSi_(1-x) crystal was grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition (UHV/CVD) at 650℃, results showed that O_2 and/or H_2O caused the surface of the grown materials irregular in the growth process.
利用超高真空化学气相淀积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统在 ６５０℃生长出表面光亮的 ＧｅＳｉ单晶 在１２００Ｌ／ｍｉｎ分子泵与前级机械系间串接 ４５０Ｌ／ｍｉｎ分子泵，改善了生长环境串接分子泵后生长的 样品的Ｘ射线双晶衍射分析表明，外延层衍射峰半宽仅为 １９８ａｒｃｓｅｃ， 且出现了 Ｐｅｎｄｅｌｌｏｓｕｎｇ干涉条 纹，说明外延层结晶质量很好。
2.
In this paper,intrinsic silicon epitaxial layers were grown on N type(As doped) substrate by UHV/CVD,which were then characterized using SPR,AFM and DCXRD methods.
文章利用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统SGE500,在N型(掺As)重掺杂衬底上进行了薄本征硅外延层生长规律的研究;并采用扩展电阻(SPR)、原子力显微镜(AFM)、双晶衍射(DCXRD)等方法,对外延层的质量进行了评价。
3.
Stacked Ge quantum dots are grown on Si(100) by u ltra-high vacuum chemical vapor deposition(UHV/CVD).
用超高真空化学气相淀积系统在Si(1 0 0 )衬底上生长了多层Ge量子点 。
6) atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD)
常压化学气相淀积(APCVD)
补充资料：化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积是一种气体反应过程。在这个过程中，由某些选定气体的热诱导分解在衬底上形成某种介质层。在硅平面器件及集成电路中最常用的是淀积SiO2，Si3N4和多晶硅。化学气相淀积也广泛用于半导体单晶薄膜的外延生长，特别是多层膜的外延生长。在光电子器件和微波器件的制作中尤其常用。CVD方法视工作时反应室中气体压强不同分为常压、低压和超低压CVD。根据化学反应能量提供方式不同可分为热分解、光加热、射频加热、热丝、光、等离子体增强和微波等离子体增强CVD。按反应气源不同又分为卤化物、氢化物和金属有机化合物CVD（MOCVD）。
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参考词条