1) chemical vapor deposition equipment
化学气相淀积设备
2) CVD
化学气相淀积
1.
Development of double-chamber UHV/CVD system;
双生长室超高真空化学气相淀积系统的研制
2.
The applications of CVD in the preparations of ultrafine powders,nanocompositers,and functionally gradient materials were discussed,the processing features of CVD,the properties and the microstructures of the materials thus prepared were analyzed with specific examples.
本文讨论了化学气相淀积在超细粉，纳米复合材料及梯度功能材料制备中的应用，并结合实例分析了化学气相淀积的工艺特性及所制备材料的性能、显微组织特点。
3.
12%,were epitaxially deposited on Si(100) substrates via chemical vapor deposition(CVD) process,using C2H4 and SiH4 as C and Si resources,respectively.
用化学气相淀积方法,以乙烯为碳源、硅烷为硅源,在Si(100)衬底上外延生长了替位式C组分达1。
3) chemical vapor deposition
化学气相淀积
1.
Porous γ -Al 2O 3 ceramic membranes were modified by atomic layer chemical vapor deposition technique.
采用原子层控制生长化学气相淀积方法对多孔γ -Al2 O3陶瓷膜进行缩孔修饰研究 。
2.
SiCl_4 and NH_3 as its precursors ,amorphous Si_3N_4 ultrafine powder was synthesized with high purity and narrow size distribution by radio frequency plasma chemical vapor deposition.
利用高频等离子体化学气相淀积方法以四氯化硅及氨为原料，合成了粒度小、粒径分布均匀、氮含量为36。
3.
Ultrafine AIN powder was synthesized by chemical vapor deposition of anhydrous AlCl_3 and NH_3 at 700～1000℃.
在700～1000℃下,用无水AlCl_3和NH_3的化学气相淀积反应合成得到了AlN超细粉末,并研究了反应温度、总流量、AlCl_3浓度等对AlN粉末理化性质的影响。
4) thermal chemical vapor deposition
热化学气相淀积
1.
Using standard photolithography,patterned carbon nanotube line arrays were fabricated on silicon substrates by thermal chemical vapor deposition.
采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜,然后用热化学气相淀积(T-CVD)的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列,用扫描电镜和拉曼光谱仪对碳纳米管进行了表征。
5) chemical vapor deposition passivation
化学气相淀积钝化法
6) LPCVD
低压化学气相淀积
1.
Research on Polysilicon Thin Film Technics by LPCVD;
低压化学气相淀积多晶硅薄膜工艺研究
2.
MOLECULAR DYNAMICS SIMULATION OF THE THICKNESS OF POLYCRYSTALLINE Si MEMBRANE PREPARED BY LPCVD;
低压化学气相淀积多晶硅薄膜膜厚的分子动力学模拟
3.
The internal stress in silicon-nitride thin films prepared by low-pressure chemical vapor deposition(LPCVD) was studied measured by XP-2 stylus profilometer.
研究了低压化学气相淀积SiN(LPCVD)介质薄膜的内应力,采用XP-2型台阶仪测量了SiN介质薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺参数,观察了反应气体流量比、淀积温度、反应室压力等因素对SiN薄膜内应力的影响。
补充资料：化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积是一种气体反应过程。在这个过程中，由某些选定气体的热诱导分解在衬底上形成某种介质层。在硅平面器件及集成电路中最常用的是淀积SiO2，Si3N4和多晶硅。化学气相淀积也广泛用于半导体单晶薄膜的外延生长，特别是多层膜的外延生长。在光电子器件和微波器件的制作中尤其常用。CVD方法视工作时反应室中气体压强不同分为常压、低压和超低压CVD。根据化学反应能量提供方式不同可分为热分解、光加热、射频加热、热丝、光、等离子体增强和微波等离子体增强CVD。按反应气源不同又分为卤化物、氢化物和金属有机化合物CVD（MOCVD）。
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参考词条