1) LPCVD
低压化学气相淀积
1.
Research on Polysilicon Thin Film Technics by LPCVD;
低压化学气相淀积多晶硅薄膜工艺研究
2.
MOLECULAR DYNAMICS SIMULATION OF THE THICKNESS OF POLYCRYSTALLINE Si MEMBRANE PREPARED BY LPCVD;
低压化学气相淀积多晶硅薄膜膜厚的分子动力学模拟
3.
The internal stress in silicon-nitride thin films prepared by low-pressure chemical vapor deposition(LPCVD) was studied measured by XP-2 stylus profilometer.
研究了低压化学气相淀积SiN(LPCVD)介质薄膜的内应力,采用XP-2型台阶仪测量了SiN介质薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺参数,观察了反应气体流量比、淀积温度、反应室压力等因素对SiN薄膜内应力的影响。
2) VLP-CVD
超低压化学气相淀积
1.
Temperature Dependence of Self organized Growth of Ge Quantum Dots on Si Substrate by VLP-CVD;
对利用超低压化学气相淀积 (VLP CVD)技术在Si上自组织生长Ge量子点的特征进行了研究 ,发现生长温度对Ge量子点尺寸分布和密度的影响不同于分子束外延 (MBE)的结果 ,这种现象与VLP CVD表面控制反应模式有关。
3) Rapid Thermal Process/Very Low Pressure-Chemical Vapor Deposition
快速加热/超低压-化学气相淀积
4) atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD)
常压化学气相淀积(APCVD)
5) APCVD
常压化学气相淀积
1.
Computer Simulation of Polysilicon Films Prepared by APCVD;
常压化学气相淀积多晶硅的计算机模拟
2.
Using a SiH4-C3H8-H2 reaction gas system,polycrystal 3C-SiC films have been grown on Si(100) substrates with different porous silicon buffers via atmospheric pressure chemical vapor deposition(APCVD) process.
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在电化学腐蚀的多孔硅衬底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,研究了多孔硅孔隙率对薄膜生长质量的影响。
6) 3UCVD
超高真空、超低压、深紫外光能辅助化学气相淀积
补充资料：化学气相淀积
英文:cvd(chemical vapor deposition)
指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用cvd方法制备。
化学气相淀积特点：淀积温度低，薄膜成份易控，膜厚与淀积时间成正比，均匀性，重复性好，台阶覆盖性优良。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条