1) UHV/CVD
超高真空化学气相淀积
1.
Ge_xSi_(1-x) crystal was grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition (UHV/CVD) at 650℃, results showed that O_2 and/or H_2O caused the surface of the grown materials irregular in the growth process.
利用超高真空化学气相淀积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统在 ６５０℃生长出表面光亮的 ＧｅＳｉ单晶 在１２００Ｌ／ｍｉｎ分子泵与前级机械系间串接 ４５０Ｌ／ｍｉｎ分子泵，改善了生长环境串接分子泵后生长的 样品的Ｘ射线双晶衍射分析表明，外延层衍射峰半宽仅为 １９８ａｒｃｓｅｃ， 且出现了 Ｐｅｎｄｅｌｌｏｓｕｎｇ干涉条 纹，说明外延层结晶质量很好。
2.
In this paper,intrinsic silicon epitaxial layers were grown on N type(As doped) substrate by UHV/CVD,which were then characterized using SPR,AFM and DCXRD methods.
文章利用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统SGE500,在N型(掺As)重掺杂衬底上进行了薄本征硅外延层生长规律的研究;并采用扩展电阻(SPR)、原子力显微镜(AFM)、双晶衍射(DCXRD)等方法,对外延层的质量进行了评价。
3.
Stacked Ge quantum dots are grown on Si(100) by u ltra-high vacuum chemical vapor deposition(UHV/CVD).
用超高真空化学气相淀积系统在Si(1 0 0 )衬底上生长了多层Ge量子点 。
2) 3UCVD
超高真空、超低压、深紫外光能辅助化学气相淀积
3) UHV-CVD
超高真空化学气相沉积
1.
According to the delay in nucleation of SiGe on SiO_2 surface at low temperature,an ultrahigh vacuum chemical vapor deposition(UHV-CVD)technique was adopted.
利用低温下锗硅材料在二氧化硅表面成核需要一定时间的特点,采用超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)技术,550℃下,在硅光刻窗口处,选择性生长了锗硅外延层。
4) UHVCVD
超高真空化学气相沉积
1.
Poly-SiGe films prepared by metal-induced growth using UHVCVD system;
金属诱导生长与超高真空化学气相沉积方法相结合制备多晶锗硅薄膜
2.
Poly-SiGe films are prepared using a metal-induced growth technique with an ultrahigh vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) system at low temperatures.
采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积相结合的方法,低温下在氧化Si衬底上制备出了多晶GeSi薄膜。
3.
Ultra-high Vacuum Chemical Vapor Deposition (UHVCVD) was a good choice, it provided a super clean, low temperature, low pressure ambient, and controlled thin films' growth precisely.
超高真空化学气相沉积(UHVCVD)具有超净的生长环境、能够在低温、低压下生长锗硅材料,可精确控制薄膜生长等优点。
5) UHV/CVD
超高真空化学气相沉积
1.
2% C is grown at a relatively high temperature(760 ℃)on Si(100) wafer substrates using Ultra high Vacuum/Chemical Vapor Deposition(UHV/CVD).
用超高真空化学气相沉积方法 ,在Si(10 0 )衬底上生长掺C高达 2 2 %的Si1-x-yGexCy 合金薄膜 ,外延层质量良好。
2.
Molecular beam epitaxy (MBE) is described along with three types of chemical vapor deposition: ultrahigh vacuum (UHV/CVD),atmospheric pressure (APCVD),and rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD).
本文描述了应用于SiGe外延的分子束外延 (MBE)、超高真空化学气相沉积 (UHV/CVD)、常压化学气相沉积 (APCVD)、快速热化学气相沉积 (RTCVD)等几种工艺及这几种工艺中的常见问题 ,并介绍了近来这些SiGe外延技术的改进 ,最后从器件角度对以上几种工艺特性进行了比较。
6) vacuum chemical vapor deposition
真空化学汽相淀积
补充资料：化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积是一种气体反应过程。在这个过程中，由某些选定气体的热诱导分解在衬底上形成某种介质层。在硅平面器件及集成电路中最常用的是淀积SiO2，Si3N4和多晶硅。化学气相淀积也广泛用于半导体单晶薄膜的外延生长，特别是多层膜的外延生长。在光电子器件和微波器件的制作中尤其常用。CVD方法视工作时反应室中气体压强不同分为常压、低压和超低压CVD。根据化学反应能量提供方式不同可分为热分解、光加热、射频加热、热丝、光、等离子体增强和微波等离子体增强CVD。按反应气源不同又分为卤化物、氢化物和金属有机化合物CVD（MOCVD）。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条