1) thermal chemical vapor deposition(TCVD)
热化学气相沉积
2) hot filament chemical vapor deposition
热丝化学气相沉积
1.
Study of diamond film by direct current cathode-hot filament chemical vapor deposition;
直流等离子体-热丝化学气相沉积金刚石薄膜的研究
2.
Diamond films are deposited on tungsten carbide YG6 by hot filament chemical vapor deposition.
采用热丝化学气相沉积法在YG6硬质合金基体上制备出了金刚石薄膜,研究了基片与热丝间的距离以及负偏压对金刚石薄膜的生长取向和内应力的影响。
3.
The existed hot filament chemical vapor deposition(HFCVD) system is improved.
首先对热丝化学气相沉积(Chem ica l vapor depos ition,CVD)系统进行改造,设计了在真空室外对室内试样进行操纵的机械手系统和储料台,实现了一次热丝碳化后完成多个不同工艺条件下试样的连续沉积。
3) HFCVD
热丝化学气相沉积
1.
Polycrystalline silicon thin films were prepared by hot-filament chemical vapor deposition(HFCVD) on glass at low-temperatures.
采用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在普通玻璃衬底上低温沉积多晶硅薄膜。
2.
Two-dimension coupled model of the temperature filed, velocity field and density field was developed according to the geometry and technology parameters in hot filament chemical vapor deposition (HFCVD) diamond film.
根据热丝化学气相沉积(HFCVD)金刚石薄膜的几何特点和工艺参数,建立了该系统的二维温度场、速度场和密度场 的耦合模型。
3.
When the relative parameters of hot filaments were fixed at the optimal values, the irradiance distribution and the temperature distribution of substrate were simulated during the growing process HFCVD diamond films.
热丝化学气相沉积（HFCVD）生长金刚石膜过程中,在热丝相关工艺参数取优化值的前提下,对热辐射平衡体系中衬底表面辐照度和衬底温度的空间分布进行了模拟计算,探讨了衬底横向热传导对衬底温度分布的影响。
4) Hot-wire CVD
热丝化学气相沉积
1.
Deposition and Characteristics of Poly-silicon Films by Hot-wire CVD;
热丝化学气相沉积制备多晶硅薄膜的研究
2.
Hot-wire CVD (HWCVD) is widely used to deposit a-Si: H and poly-Si films, due to many advantages compared with other methods, including being much simpler and easier to adopt for large-area deposition at a lower cost, low deposition temperature and high deposition rate.
在多晶硅薄膜的各种制备技术中，热丝化学气相沉积法(HWCVD)以其低沉积温度、高沉积速率和低成本的特点而被广泛采用。
3.
Influence of Metal Underlayers on Low-temperature Deposition of Poly-silicon Thin Films by Hot-wire CVD;
采用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法分别在镀Ag、镀Cu玻璃衬底上低温沉积出高质量多晶硅薄膜。
5) thermal gradient chemical vapor infiltration
热梯度化学气相沉积
1.
It was illuminated the principle and advantage of thermal gradient chemical vapor infiltration(CVI) technology for preparation of carbon/carbon composites.
阐明了用于制备炭/炭复合材料的热梯度化学气相沉积工艺过程和原理,测定了沉积过程中预成型体内不同位置的温度。
2.
The principles and advantages of thermal gradient chemical vapor infiltration (T-CVI) technology for preparation of carbon/carbon composites are illuminated in this paper.
阐明了热梯度化学气相沉积工艺(CVI)的优越性和用于制备炭/炭复合材料的热梯度化学气相沉积工艺原理;壁冷式热梯度CVI工艺克服了等温化学气相沉积易形成闭孔的缺陷,实现了快速均匀致密化;热梯度CVI工艺设备简单且安全系数高,所制备的炭/炭复合材料密度均匀性好,通过控制工艺参数,利用热梯度CVI工艺可以制备不同微观组织结构的热解炭。
3.
In order to illuminate the principle of thermal gradient chemical vapor infiltration (TCVI) technology for preparation of carbon/carbon composites, the change of resistance and power as a function of deposition re-gimes was measured and discussed in this paper.
为了阐明用于制备炭/炭复合材料的热梯度化学气相沉积工艺原理,分析了沉积过程中随着热解沉积区域的移动,发热体的电阻值以及加在发热体两端功率的变化规律,并利用偏光显微镜观察了材料的粗糙层、光滑层热解炭微观组织结构。
6) HFCVD
热丝法化学气相沉积
1.
Substrate temperature profiles and concentration of carbon source are the main deposition parameters in a HFCVD system.
热丝法化学气相沉积金刚石薄膜系统内 ,衬底温度和碳源气体浓度是金刚石薄膜生长最为重要的参数。
补充资料：热化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：利用高温激活化学反应进行气相生长的方法。按其化学反应形式可分成三大类：（1）化学输送法；（2）热分解法；（3）合成反应法。第一类一般用于块状晶体生长；第二类通常用于薄膜材料生长；第三类则两种情况都用。TCVD应用于半导体材料，如Si，Ge，GaAs，InP等各种氧化和其他材料。广泛应用的CVD技术，如MOCVD、氯化物化学气相沉积、氢化物化学气相沉积等均属于TCVD的范围。
CAS号：
性质：利用高温激活化学反应进行气相生长的方法。按其化学反应形式可分成三大类：（1）化学输送法；（2）热分解法；（3）合成反应法。第一类一般用于块状晶体生长；第二类通常用于薄膜材料生长；第三类则两种情况都用。TCVD应用于半导体材料，如Si，Ge，GaAs，InP等各种氧化和其他材料。广泛应用的CVD技术，如MOCVD、氯化物化学气相沉积、氢化物化学气相沉积等均属于TCVD的范围。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条