1) mercury cadmium selenide crystal
硒化镉汞晶体
2) cadmium selenide crystal CdSe
硒化镉晶体
3) mercury selenide crystal HgSe
硒化汞晶体
4) mercury cadmium telluride crystal
碲化镉汞晶体
5) crystal encapsulated Cd(S xSe 1-x)
晶包硫硒化镉
6) cadmium mercury thiocyanate (CMTC) crystals
硫氰酸汞镉晶体
补充资料：硒化镉汞晶体
分子式：Hg1-xCdxSe，0≤x≤1
CAS号：
性质：周期表第Ⅱ、Ⅵ三元化合物半导体。共价键结合，有离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6086～0.6077nm。密度5.74～8.24g/cm3，导带极小值和价带极大值均位于布里渊区中心。为直接带隙半导体，电子有效惯性质量0.169m。室温电子迁移率0.187m2/V·s。采用布里奇曼法、蒸发法、气相外延、液相外延等方法制备，为8～14μm红外光伏和光电材料。
CAS号：
性质：周期表第Ⅱ、Ⅵ三元化合物半导体。共价键结合，有离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6086～0.6077nm。密度5.74～8.24g/cm3，导带极小值和价带极大值均位于布里渊区中心。为直接带隙半导体，电子有效惯性质量0.169m。室温电子迁移率0.187m2/V·s。采用布里奇曼法、蒸发法、气相外延、液相外延等方法制备，为8～14μm红外光伏和光电材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条