补充资料：氮化铟单晶

分子式：
CAS号：

性质：InN  周期系第III，V族化合物半导体。六方晶系铅锌矿型结构，晶格常数0.3533nm。密度6.88g/cm3。熔点1200℃。导带极小值与价带极大值位于布里渊区中心，为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.95eV。电阻率4×10-5Ω·m。620℃真空下易分解。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。