1) InGaN/GaN
氮镓铟/氮化镓
1.
Investigation on Optical Properties of Different Width InGaN/GaN Quantum Well;
不同厚度氮镓铟/氮化镓量子阱的光学特性研究
3) InAlGaN
铟铝镓氮
4) InGaN/GaN quantum well
铟镓氮(InGaN)
5) AlInGaN
铝铟镓氮
1.
AlInGaN quaternary alloys were successfully grown on sapphire substrate by radio-frequency plasma-excited molecular beam epitaxy(RF-MBE).
利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铝铟镓氮(AlInGaN)四元合金,通过改变Al源的束流生长了不同组分的AlInGaN四元合金,材料生长过程中采用反射式高能电子衍射(RHEED)进行了在位检测。
6) AlGaN/GaN
氮镓铝/氮化镓
补充资料：镓
| 镓 gallium 一种化学元素。化学符号Ga ，原子序数31，原子量69.723，属周期系  族。1871年，俄国D.I.门捷列夫根据元素周期律，曾预言自然界存在一种与铝的性质相近的未知元素，取名类铝。1875年，法国P.- .L.de布瓦博德朗在闪锌矿中离析出这种元素，证实了门捷列夫的预言，为了纪念他的祖国 ，将这种元素命名为 gallium ，该字来源于Gallic，含义是法国。镓在地壳中的含量为5×10-4～1.5×10-3 ，但在自然界中极为分散 ，独立的矿物只有硫镓铜矿（CuGaS2 )。由于镓和铝、锌、锗的离子半径相近，化学性质相似，所以在自然界，镓常和这三种元素的矿物共生，铝土矿中含镓 0.01％ ～ 0.02％ ；闪锌矿中含镓 0.01％～0.02％；锗石中含镓0.01％～0.8％。镓是银白色液体或蓝灰色固体，熔点 29.78 ℃，沸点2403℃ ，固体 密度 5.907克／厘米3 。液态 镓可 过冷到－120℃，液态范围相当宽，可利用此性质制高温温度计。镓的化学性质不活泼，镓在空气中形成氧化物表面膜，使它相当稳定，常温下不和氧、水发生反应，与稀酸作用缓慢，但可溶于热的硝酸、浓氢氟酸和热、浓的高氯酸以及王水，它也溶于强碱中生成镓酸盐，因此镓是两性的。镓的氧化态为＋1和＋3，与卤素作用时，生成三卤化镓和一卤化镓。在高温下，镓能与硫、硒、碲、磷、砷、锑发生反应，生成的化合物都具有半导体性质。 由于氧化铝是产量很大的工业原料，因此用拜耳法生产氧化铝过程中的循环母液便成为生产镓的主要原料。该母液中镓可富集到0.1克／升，先加入石灰乳，分离出铝酸钙，再通入二氧化碳，得富镓的沉淀，把它溶解在氢氧化钠溶液中，经电解可得纯度为99.99％金属镓。进一步经过化学处理、电解精炼和拉晶提纯，可得纯度为99.9999％的高纯镓，用于制备化合物半导体，以制造整流器、晶体管、光电器件、注射激光器和微波二极管。在半导体生产中，镓还作为硅和锗的掺杂物。镓可用于制造高温温度计和真空装置中的密封液。 |
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参考词条