1) highly pure indium antimonide single crystal
高纯锑化铟单晶
3) indium antimonide arsenide single crystal
砷锑化铟单晶
4) indium antimonide crystal
锑化铟晶体
5) InSb-In
锑化铟-铟
1.
A kind of InSb-In eutectic film based magnet sensitive resistance is adopted for replacing the Hall sensing element in automotive electronic ignition system.
根据汽车点火系统的要求,综合考虑价格因素及实际的安装结构,设计了一种用锑化铟-铟共晶体磁敏电阻代替霍耳元件的电子点火系统,该系统不改变原系统的机械结构,仅在原分电器的基础上做微小的改动,因此其安装简便,且价格便宜,可以投入实施。
2.
A relatively omnidirectional vibration sensor made of InSb-In eutectic film magnetoresistance is introduced.
本文最新研制了一种用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻制成的准全方位振动传感器。
6) Amorphous InSb(a-InSb)
非晶态锑化铟
1.
Amorphous InSb(a-InSb) films on glass substrate were deposited by RF magnetron sputtering technology.
在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态锑化铟(a-InSb)薄膜的低温生长。
补充资料：锑化铟单晶
分子式：
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6478nm。密度5.775g/cm3。熔点525℃。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.18eV，本征载流子浓度1.1×1022/m3，本征电阻率6×10-4Ω·m，较纯晶体的电子和空穴迁移率为10和0.17m2/(V·s)。采用区域熔炼、直拉法制备。用于制作远红外光电探测器、霍耳器件和磁阻器件。
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6478nm。密度5.775g/cm3。熔点525℃。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.18eV，本征载流子浓度1.1×1022/m3，本征电阻率6×10-4Ω·m，较纯晶体的电子和空穴迁移率为10和0.17m2/(V·s)。采用区域熔炼、直拉法制备。用于制作远红外光电探测器、霍耳器件和磁阻器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条