1) indium antimonide arsenide single crystal
砷锑化铟单晶
3) highly pure indium antimonide single crystal
高纯锑化铟单晶
4) indium gallium arsenic phosphide single crystal
磷砷化镓铟单晶
5) indium arsenic phosphide single crystal
磷砷化铟单晶
6) indium gallium arsenide single crystal
砷化镓铟单晶
补充资料：砷锑化铟单晶
分子式： InSb1-xAsx o≤x≤1
CAS号：
性质：周期表第III族元素化合物半导体。共价键结合，有一定的离子键成分，闪锌矿型结构。为直接带隙半导体，禁带宽度在0.18～0.35eV范围，电子迁移率0.59m2(V·s)。用于作红外激光器件。采用区域熔炼、化学气相沉积，外延生长等方法制备。
CAS号：
性质：周期表第III族元素化合物半导体。共价键结合，有一定的离子键成分，闪锌矿型结构。为直接带隙半导体，禁带宽度在0.18～0.35eV范围，电子迁移率0.59m2(V·s)。用于作红外激光器件。采用区域熔炼、化学气相沉积，外延生长等方法制备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条