1) single crystalline InP nanopore array
单晶磷化铟纳米孔阵列
2) indium phosphide nanocrystallite
磷化铟纳米晶
1.
Preparation of indium phosphide nanocrystallite and investigation of its optical properties;
磷化铟纳米晶的制备及光学性质研究
3) single-crystal nanowire array
单晶纳米线阵列
5) nanocrystal array
纳米晶阵列
6) nanopore arrays
纳米孔阵列
1.
Study of self-organized of hexagonal nanopore arrays in porous anodic alumina;
多孔阳极氧化铝六方纳米孔阵列的自组装生长研究
2.
The preparation technology and morphology analyses of anodic aluminum oxide films containing nanopore arrays on high purity aluminum foils by anodization are reported.
报道了用阳极氧化法在高纯铝片上制备含有纳米孔阵列的阳极氧化铝膜技术,并用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对样品形貌进行了分析。
补充资料：磷化镓铟单晶
分子式：In1-xGaxP,0≤x≤1
CAS号：
性质：周期表第Ⅲ，V族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。0≤x<0.7时为直接带隙半导体，0.7≤x≤1时为间接带隙半导体；禁带宽度在1.34～2.20eV范围变化，电子迁移率6×10-2m2/(V·s)。采用外延法制备。用于制备可见光发光器件和激光器件。
CAS号：
性质：周期表第Ⅲ，V族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。0≤x<0.7时为直接带隙半导体，0.7≤x≤1时为间接带隙半导体；禁带宽度在1.34～2.20eV范围变化，电子迁移率6×10-2m2/(V·s)。采用外延法制备。用于制备可见光发光器件和激光器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条