2) InSb-In thin film
锑化铟-铟薄膜
3) indium tin oxide film
氧化铟锡薄膜
1.
The foreground of applying indium tin oxide film to heat-insulating and energy\|saving in glass field has been analysed.
分析了氧化铟锡薄膜应用于玻璃领域隔热节能的前景。
2.
The design principles of indium tin oxide film(ITO) to prevent lectrostatic discharge for optical solar reflector(OSR) are studied.
研究了光学太阳反射镜抗静电放电用氧化铟锡薄膜的设计原则 。
4) ITO film
铟锡氧化物薄膜
5) ITO thin film
掺锡氧化铟薄膜
6) indium tin oxide (ITO) films
氧化铟锡(ITO)薄膜
补充资料：氮化铟单晶
分子式：
CAS号：
性质：InN 周期系第III，V族化合物半导体。六方晶系铅锌矿型结构，晶格常数0.3533nm。密度6.88g/cm3。熔点1200℃。导带极小值与价带极大值位于布里渊区中心，为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.95eV。电阻率4×10-5Ω·m。620℃真空下易分解。
CAS号：
性质：InN 周期系第III，V族化合物半导体。六方晶系铅锌矿型结构，晶格常数0.3533nm。密度6.88g/cm3。熔点1200℃。导带极小值与价带极大值位于布里渊区中心，为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.95eV。电阻率4×10-5Ω·m。620℃真空下易分解。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条