1) gallium nitride single crystal GaN
氮化镓单晶
2) amorphous GaN
非晶氮化镓
1.
Optical properties of amorphous GaN films deposited by sputtering
溅射制备非晶氮化镓薄膜的光学性能
3) GaAs single crystal
砷化镓单晶
1.
Plastic deformation induced by indentation in a GaAs single crystal was investigated using electron microscopy in the present experiment.
用电子显微镜研究了压痕诱发砷化镓单晶中的塑性变形。
2.
049N Vickers indentation in GaAs single crystal has been investigated using high-resolution electron microscopy.
０４９ Ｎ载荷 Ｖｉｃｋｅｒｓ压痕诱发砷化镓单晶的相转变进行了观察和研究，结果表明。
4) gallium phosphide single crystal GaP
磷化镓单晶
5) gallium antimonide single crystal
锑化镓单晶
6) the gallium nitride nanocrystalline
氮化镓纳米晶
补充资料：氮化镓单晶
分子式：
CAS号：
性质： 周期表第Ⅲ，V族化合物半导体。六方晶系铅锌矿型结构，晶格常数0.3180nm。密度6.lg/cm3。熔点约1500℃。为直接带隙半导体。室温禁带宽度3.39eV。电子和空穴有效惯性质量分别为0.19和0.6。电阻率>107Ω·m，电子迁移率(1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化学气相淀积法制备。
CAS号：
性质： 周期表第Ⅲ，V族化合物半导体。六方晶系铅锌矿型结构，晶格常数0.3180nm。密度6.lg/cm3。熔点约1500℃。为直接带隙半导体。室温禁带宽度3.39eV。电子和空穴有效惯性质量分别为0.19和0.6。电阻率>107Ω·m，电子迁移率(1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化学气相淀积法制备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条