1) gallium arsenic phosphide single crystal
磷砷化镓单晶
2) indium gallium arsenic phosphide single crystal
磷砷化镓铟单晶
3) GaAs single crystal
砷化镓单晶
1.
Plastic deformation induced by indentation in a GaAs single crystal was investigated using electron microscopy in the present experiment.
用电子显微镜研究了压痕诱发砷化镓单晶中的塑性变形。
2.
049N Vickers indentation in GaAs single crystal has been investigated using high-resolution electron microscopy.
０４９ Ｎ载荷 Ｖｉｃｋｅｒｓ压痕诱发砷化镓单晶的相转变进行了观察和研究，结果表明。
4) gallium phosphide single crystal GaP
磷化镓单晶
5) HB-GaAs single ctystle
水平砷化镓单晶
6) indium gallium arsenide single crystal
砷化镓铟单晶
补充资料：磷砷化镓单晶
分子式：GaAs1-xPx；0≤x≤1
CAS号：
性质：周期表第Ⅲ，V族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。0≤x≤0.53时为直接带隙半导体，0.53≤x≤1时为间接带隙半导体；禁带宽度随x变化在1.43～2.26eV范围。可在砷化镓衬底上用外延法制成异质结。是制备半导体可见光发光器件的材料。
CAS号：
性质：周期表第Ⅲ，V族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。0≤x≤0.53时为直接带隙半导体，0.53≤x≤1时为间接带隙半导体；禁带宽度随x变化在1.43～2.26eV范围。可在砷化镓衬底上用外延法制成异质结。是制备半导体可见光发光器件的材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条