1) monocrystalline gallium
单晶镓
2) GaAs single crystal
砷化镓单晶
1.
Plastic deformation induced by indentation in a GaAs single crystal was investigated using electron microscopy in the present experiment.
用电子显微镜研究了压痕诱发砷化镓单晶中的塑性变形。
2.
049N Vickers indentation in GaAs single crystal has been investigated using high-resolution electron microscopy.
０４９ Ｎ载荷 Ｖｉｃｋｅｒｓ压痕诱发砷化镓单晶的相转变进行了观察和研究，结果表明。
3) gallium phosphide single crystal GaP
磷化镓单晶
4) gallium nitride single crystal GaN
氮化镓单晶
5) gallium antimonide single crystal
锑化镓单晶
6) gallium phosphate single crystal;gallium orthophosphate
磷酸镓单晶
补充资料：砷化镓单晶
分子式：GaAs
CAS号：
性质：周期表第III、V族化合物半导体。共价键结合、有一定的离子键成分。立分晶系闪锌矿型结构。密度5.307g/cm3。熔点1238℃。导带为双能谷结构，为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.43eV。本征载流子浓度1.1×1013/m3。纯晶体的电子和空穴迁移率为0.8和(1～3)×10-2m2/(V·s)。采用区域熔炼和直拉法制备单晶，用扩散、离子注入、外延、蒸发等方法制备pn结、异质结、肖特基结，用分子束外延等方法制备超晶格材料。是制备高频、高温、高辐射、低噪声器件的材料。也是制备近红外发光、激光器件和光电阴极的材料，利用其双能谷结构可制作耿氏器件
CAS号：
性质：周期表第III、V族化合物半导体。共价键结合、有一定的离子键成分。立分晶系闪锌矿型结构。密度5.307g/cm3。熔点1238℃。导带为双能谷结构，为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.43eV。本征载流子浓度1.1×1013/m3。纯晶体的电子和空穴迁移率为0.8和(1～3)×10-2m2/(V·s)。采用区域熔炼和直拉法制备单晶，用扩散、离子注入、外延、蒸发等方法制备pn结、异质结、肖特基结，用分子束外延等方法制备超晶格材料。是制备高频、高温、高辐射、低噪声器件的材料。也是制备近红外发光、激光器件和光电阴极的材料，利用其双能谷结构可制作耿氏器件
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条