1) silver antimony ditelluride crystal
二碲化锑银晶体
2) silver gallium ditdluride crystal
二碲化镓银晶体
3) silver indium ditelluride crystal
二碲化铟银晶体
4) antimony telluride crystal
碲化锑晶体
5) silver antimony telluride
碲化锑银
6) silver,antimony telluride
碲化锑银AgSbTe2
补充资料：二碲化锑银晶体
分子式：AgSbTe2
CAS号：
性质：周期表I，V，VI族元素化合物半导体。一般为p型材料。立方晶系氯化钠型结构，晶格常数0.6078nm。密度7.1g/cm3。熔点556℃。禁带宽度0.6eV，空穴迁移率1.4×10-2m2/(V·s)，温差电材料优质系数1.8·10-3/K。采用区域熔炼法制备。为温差电材料。
CAS号：
性质：周期表I，V，VI族元素化合物半导体。一般为p型材料。立方晶系氯化钠型结构，晶格常数0.6078nm。密度7.1g/cm3。熔点556℃。禁带宽度0.6eV，空穴迁移率1.4×10-2m2/(V·s)，温差电材料优质系数1.8·10-3/K。采用区域熔炼法制备。为温差电材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条