1) silver indium ditelluride crystal
二碲化铟银晶体
2) copper indium ditelluride crystal
二碲化铟铜晶体
3) indium telluride crystal
碲化铟晶体
4) silver indium diselenide crystal
二硒化铟银晶体
5) silver indium disulphide crystal
二硫化铟银晶体
6) silver gallium ditdluride crystal
二碲化镓银晶体
补充资料：二碲化铟银晶体
分子式： AgInTe2
CAS号：
性质：周期表第I，III，VI族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构，晶格常数0.640nm。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.96eV。熔点680℃。采用布里奇曼法、定向结晶法制备。
CAS号：
性质：周期表第I，III，VI族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构，晶格常数0.640nm。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.96eV。熔点680℃。采用布里奇曼法、定向结晶法制备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条