补充资料：二碲化镓酮晶体

分子式：Cu-GaTe₂ 
CAS号：

性质： 周期表第Ⅰ，III，VI族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构，为复式晶格，晶格常数0.599nm。为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.00eV。熔点870℃。采用布里奇曼法、定向凝固法和区域熔炼法制备。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。