1) mercury cadmium telluride crystal
碲化镉汞晶体
2) mercury telluride crystal
碲化汞晶体
3) amorphous MCT
非晶态碲镉汞
1.
FTIR technology was used to study the optical properties of amorphous MCT films and the absorption coefficient of amorphous MCT films(~8×104cm-1)was obtained.
在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态碲镉汞(a-HgCdTe,a-MCT)薄膜的低温生长。
4) mercury cadmium selenide crystal
硒化镉汞晶体
补充资料：碲化镉汞晶体
分子式：
CAS号：
性质：Hg1-xCdxTe 0≤x≤1 共价键结合，有离子键成分。立方晶系闪锌矿结构。为直接带隙半导体，室温禁带宽度随x在1.5～-0.15eV范围。电子迁移率1.9m2/(V·s)。用布里奇曼法、水平区熔法等制备大块晶体。用蒸发、溅射、分子束外延等方法制备薄膜。用于制作红外探测器等。
CAS号：
性质：Hg1-xCdxTe 0≤x≤1 共价键结合，有离子键成分。立方晶系闪锌矿结构。为直接带隙半导体，室温禁带宽度随x在1.5～-0.15eV范围。电子迁移率1.9m2/(V·s)。用布里奇曼法、水平区熔法等制备大块晶体。用蒸发、溅射、分子束外延等方法制备薄膜。用于制作红外探测器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条