1) Bi_2Te_3
碲化铋
1.
Effect of preparation methods on thermoelectric properties of p-type Bi_2Te_3-based materials;
制备工艺对p型碲化铋基合金热电性能的影响
2.
Peparation of Bi_2Te_3-polyaniline Heterostructured Nanorods by Two-step Electrochemical Depositions;
二次电化学沉积法制备聚苯胺-碲化铋复合纳米棒
3.
Effect of Extra Te Content on Thermoelectric Properties of p-type Bi_2Te_3-Based Materials;
额外Te的掺杂量对P型碲化铋基合金热电性能的影响
2) bismuth telluride
碲化铋
1.
Thin film of bismuth telluride was formed by alternately depositing Te and Bi via an automated flow deposition(system).
采用一个自动式电化学薄层流沉积系统,通过交替沉积碲元素和铋元素制备了碲化铋薄膜。
2.
Bismuth telluride (Bi_2Te_3)-based alloys are one of the most widelystudied and used thermoelectric materials, whose thermoelectric propertiesare better than other materials.
在常温环境里,碲化铋(Bi_2Te_3)系合金材料是研究最成熟、应用最广泛的一类热电材料,性能比其他材料优异。
3) bismuth telluride crystal
碲化铋晶体
4) Bismuth telluride based compound
铋化碲化合物
5) bismuth telluride based compounds
碲化铋基化合物
6) bismuth tellurium semiconductor
碲化铋半导体
补充资料：碲化铋晶体
分子式：Bi2Te3
CAS号：
性质：周期表第V,VI族元素化合物半导体。三角晶，原胞为菱形六面体，晶格常数1.0473nm，密度7.8587g/cm3。熔点575℃。由共价键结合，有一定离子键成分。为间接带隙半导体，室温禁带宽度0.145eV，电子和空穴迁移率分别为0.135和4.4×10-2m2/(V·s)，温差电优质系数1.6×10-3/K。采用布里奇曼法、区域熔炼法、直拉法制备。为良好的温差材料。
CAS号：
性质：周期表第V,VI族元素化合物半导体。三角晶，原胞为菱形六面体，晶格常数1.0473nm，密度7.8587g/cm3。熔点575℃。由共价键结合，有一定离子键成分。为间接带隙半导体，室温禁带宽度0.145eV，电子和空穴迁移率分别为0.135和4.4×10-2m2/(V·s)，温差电优质系数1.6×10-3/K。采用布里奇曼法、区域熔炼法、直拉法制备。为良好的温差材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条