1) zinc silicon diphosphide crystal
二磷化硅锌晶体
2) zinc silicon diarsenide crystal
二砷化硅锌晶体
3) zinc tin disphosphide crystal
二磷化锡锌晶体
4) zinc germanium diphosphide crystal
二磷化锗锌晶体
5) cadmium silicon diphosphide crystal
二磷化硅镉晶体
补充资料：二磷化硅锌晶体
分子式：ZnSiP2
CAS号：
性质：周期系第Ⅱ,IV,V族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分,属正方晶系黄铜矿型结构。为复式晶格,直接带隙半导体,室温禁带宽度2.20eV。电子迁移率1×10-2m2/(V·s)。熔点1370℃。掺入铜、硒、碲成n型材料。采用布里奇曼法、区域熔炼法等方法制备。为可见光发光材料。
CAS号：
性质：周期系第Ⅱ,IV,V族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分,属正方晶系黄铜矿型结构。为复式晶格,直接带隙半导体,室温禁带宽度2.20eV。电子迁移率1×10-2m2/(V·s)。熔点1370℃。掺入铜、硒、碲成n型材料。采用布里奇曼法、区域熔炼法等方法制备。为可见光发光材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条