1) caesium dideuterium arsenate crystal
砷酸二氘铯晶体
2) cesium dideuterium arsenate
砷酸二氘铯
3) cesium dihydrogen arsenate (CDA)
砷酸二氢铯
4) potassium dideuterium-hydrogen phosphate crystal
磷酸二氘钾晶体
5) potassium dihydorgen phosphate crystal
砷酸二氢钾晶体
6) DKDP electro-optical crystal
磷酸二氘钾(DKDP)电光晶体
补充资料：二砷化硅锌晶体
分子式：ZnSiAs2
CAS号：
性质：三元化合物半导体。有一定离子键成分的共价键结合。属正方晶系复式晶格。晶格常数为α=0.5611 nm，c=1.0886nm。直接带隙半导体。室温禁带宽度1.74eV，一般为p型材料，空穴迁移率1.4×10-2m2/(V·s)。熔点1096℃。可用布里奇曼法、区域熔炼法、定向凝固法等制备。为非线性光学材料。
CAS号：
性质：三元化合物半导体。有一定离子键成分的共价键结合。属正方晶系复式晶格。晶格常数为α=0.5611 nm，c=1.0886nm。直接带隙半导体。室温禁带宽度1.74eV，一般为p型材料，空穴迁移率1.4×10-2m2/(V·s)。熔点1096℃。可用布里奇曼法、区域熔炼法、定向凝固法等制备。为非线性光学材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条