1) cadmium silicon diphosphide crystal
二磷化硅镉晶体
2) cadmium silicon diarsenide crystal
二砷化硅镉晶体
3) cadmium germanium diphosphide crystal
二磷化锗镉晶体
4) zinc silicon diphosphide crystal
二磷化硅锌晶体
5) cadmium tin diarsenide crystal
二砷化锡镉晶体
6) cadmium germanium diarsenide crystal
二砷化锗镉晶体
补充资料：二磷化硅镉晶体
分子式： CdSiP2
CAS号：
性质：周期表第Ⅱ,IV,V族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分,正方晶系黄铜矿结构。为复式晶格,直接带隙半导体。室温禁带宽度2.40eV。电子迁移率1.5×10-2m2/(V·s)。熔点1120℃。采用化学气相沉积法、锡溶液生长法等制备。
CAS号：
性质：周期表第Ⅱ,IV,V族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分,正方晶系黄铜矿结构。为复式晶格,直接带隙半导体。室温禁带宽度2.40eV。电子迁移率1.5×10-2m2/(V·s)。熔点1120℃。采用化学气相沉积法、锡溶液生长法等制备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条