1) zinc silicon diarsenide crystal
二砷化硅锌晶体
2) zinc germanium diarsenide crystal
二砷化锗锌晶体
3) cadmium silicon diarsenide crystal
二砷化硅镉晶体
4) zinc silicon diphosphide crystal
二磷化硅锌晶体
5) cadmium tin diarsenide crystal
二砷化锡镉晶体
6) cadmium germanium diarsenide crystal
二砷化锗镉晶体
补充资料：二砷化硅锌晶体
分子式：ZnSiAs2
CAS号：
性质：三元化合物半导体。有一定离子键成分的共价键结合。属正方晶系复式晶格。晶格常数为α=0.5611 nm，c=1.0886nm。直接带隙半导体。室温禁带宽度1.74eV，一般为p型材料，空穴迁移率1.4×10-2m2/(V·s)。熔点1096℃。可用布里奇曼法、区域熔炼法、定向凝固法等制备。为非线性光学材料。
CAS号：
性质：三元化合物半导体。有一定离子键成分的共价键结合。属正方晶系复式晶格。晶格常数为α=0.5611 nm，c=1.0886nm。直接带隙半导体。室温禁带宽度1.74eV，一般为p型材料，空穴迁移率1.4×10-2m2/(V·s)。熔点1096℃。可用布里奇曼法、区域熔炼法、定向凝固法等制备。为非线性光学材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条