1) gallium aluminum arsenic phosphide
磷砷化铝镓
2) AlGaInP/GaAs
铝镓铟磷/砷化镓
3) Aluminum Gallium Arsenide
砷化铝镓
4) gallium aluminum arsenide (GaAIAs or AIGaAs)
砷铝化镓
5) gallium arsenide phosphide
磷砷化镓
6) gallium aluminum antimonide arsenide
砷锑化铝镓
补充资料：磷砷化铝镓
分子式：GaxAl1-xAsyP1-y；0≤x≤1，0≤y≤1
CAS号：
性质：周期表Ⅲ，V族元素化合物半导体。立方晶系闪锌矿型结构，为间接带隙半导体。可在砷化镓衬底上采用液相外延、分子束外延等方法制备。为制作可见光发光器件和激光器件的材料。
CAS号：
性质：周期表Ⅲ，V族元素化合物半导体。立方晶系闪锌矿型结构，为间接带隙半导体。可在砷化镓衬底上采用液相外延、分子束外延等方法制备。为制作可见光发光器件和激光器件的材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条