2) heavily arsenic-doped CZ silicon
重掺砷直拉硅片
1.
Through the comparative investigation on oxygen precipitation behaviors in the heavily and lightly arsenic-doped n-type Czochralski(CZ) silicon wafers subjected to the two-step annealing successively at low temperature(450—800℃) and high temperature(1000℃),the effects of low-temperature annealing on oxygen precipitate nucleation in heavily arsenic-doped CZ silicon wafer have been elucidated.
通过对比研究重掺砷直拉硅片和轻掺n型直拉硅片经过低温(450—800℃)和高温(1000℃)两步退火的氧沉淀行为,阐明了低温退火对重掺掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用。
3) heavily-doped Czochralski silicon
重掺直拉硅
4) heavily boron-doped Czochralski silicon
重掺硼直拉硅
5) heavily doped Czochralski silicon
重掺杂直拉硅
6) heavily As doped silicon crystal
重掺砷单晶硅
补充资料：直拉砷化镓单晶
分子式：
CAS号：
性质：采用直拉技术生长的砷化镓单晶。占砷化镓单晶总量的30％～40％，用三氧化二硼作覆盖剂，用氮气控制炉内压力在0.1～0.3MPa范围。有不同掺杂浓度的p型(一般掺锌)、n型(一般掺碲)和半绝缘(非掺杂或掺铬)材料。制备工艺特点为生长速度快，易于直接拉制出所需晶向的圆柱形单晶，位错密度一般为104cm-2。用于超高速大规模集成电路器件、窗口材料和光电器件。
CAS号：
性质：采用直拉技术生长的砷化镓单晶。占砷化镓单晶总量的30％～40％，用三氧化二硼作覆盖剂，用氮气控制炉内压力在0.1～0.3MPa范围。有不同掺杂浓度的p型(一般掺锌)、n型(一般掺碲)和半绝缘(非掺杂或掺铬)材料。制备工艺特点为生长速度快，易于直接拉制出所需晶向的圆柱形单晶，位错密度一般为104cm-2。用于超高速大规模集成电路器件、窗口材料和光电器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条