2) heavily As doped silicon crystal
重掺砷单晶硅
3) heavily arsenic-doped CZ silicon
重掺砷直拉硅片
1.
Through the comparative investigation on oxygen precipitation behaviors in the heavily and lightly arsenic-doped n-type Czochralski(CZ) silicon wafers subjected to the two-step annealing successively at low temperature(450—800℃) and high temperature(1000℃),the effects of low-temperature annealing on oxygen precipitate nucleation in heavily arsenic-doped CZ silicon wafer have been elucidated.
通过对比研究重掺砷直拉硅片和轻掺n型直拉硅片经过低温(450—800℃)和高温(1000℃)两步退火的氧沉淀行为,阐明了低温退火对重掺掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用。
4) Heavily As-doped silicon
重掺砷硅单晶
1.
Heavily As-doped silicon substrates are adopted by many device manufactories because of higher As-doping density.
重掺砷硅衬底片正日益受到器件厂家的青睐，所以研究重掺砷硅单晶中的氧沉淀及诱生缺陷对实现重掺衬底的内吸除有重大意义。
补充资料：砷锑化镓单晶
分子式：GaSb1-xAsx o≤x≤1
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。为混合晶体，共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。为直接带隙半导体，禁带宽度在0.70～1.428eV范围，电子迁移率0.17m2(V·s)。采用区域熔炼法、外延法制备。用作光阴极材料。
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。为混合晶体，共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。为直接带隙半导体，禁带宽度在0.70～1.428eV范围，电子迁移率0.17m2(V·s)。采用区域熔炼法、外延法制备。用作光阴极材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条