2) NCZ
掺氮直拉硅单晶
1.
In recent years, nitrogen-doped czochralski silicon (NCZ)has attracted intensive attention from the industrial circle and academia.
掺氮直拉硅单晶近年来引起了硅材料产业界和学术界的广泛关注。
3) Czochralski silicon
直拉单晶硅
1.
The cost of nitrogen-doped Czochralski silicon is lower than that of the Czochralski silicon.
掺氮直拉单晶硅的成本比普通直拉单晶硅的成本要低,掺氮直拉单晶硅的机械强度比普通直拉单晶硅的高,太阳电池片可以做的更薄,这些都有利于降低太阳电池的成本。
5) CzSi
直拉硅单晶
1.
Study of CZSi Characteristic Doped with Element Ge at Impurity Level;
直拉硅单晶中掺入等价元素锗可以有效地抑制氧施主，提高硅片机械强度，改善氧沉淀的状况。
补充资料：直拉砷化镓单晶
分子式：
CAS号：
性质：采用直拉技术生长的砷化镓单晶。占砷化镓单晶总量的30％～40％，用三氧化二硼作覆盖剂，用氮气控制炉内压力在0.1～0.3MPa范围。有不同掺杂浓度的p型(一般掺锌)、n型(一般掺碲)和半绝缘(非掺杂或掺铬)材料。制备工艺特点为生长速度快，易于直接拉制出所需晶向的圆柱形单晶，位错密度一般为104cm-2。用于超高速大规模集成电路器件、窗口材料和光电器件。
CAS号：
性质：采用直拉技术生长的砷化镓单晶。占砷化镓单晶总量的30％～40％，用三氧化二硼作覆盖剂，用氮气控制炉内压力在0.1～0.3MPa范围。有不同掺杂浓度的p型(一般掺锌)、n型(一般掺碲)和半绝缘(非掺杂或掺铬)材料。制备工艺特点为生长速度快，易于直接拉制出所需晶向的圆柱形单晶，位错密度一般为104cm-2。用于超高速大规模集成电路器件、窗口材料和光电器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条