1)  SiGe/Si HBT
SiGe/Si HBT
1.
SiGe/Si HBT with a current gain of 26000 in the temperature of 77K;
77K下电流增益为2.6万的SiGe/Si HBT
2)  Si/SiGe/Si HBT
Si/SiGe/Si HBT
1.
Studies on RF Si/SiGe/Si HBT;
射频Si/SiGe/Si HBT的研究
3)  Si/SiGe
SiGe/Si
1.
Temperature Characteristics of Power Si/SiGe/Si HBT s;
功率SiGe/Si HBT的温度特性
2.
Effects of Layout Size on High-Frequency Noise Characteristics of Si/SiGe HBT s;
版图尺寸对SiGe/Si HBT高频噪声特性的影响
3.
Low-Frequency Noise Characteristics of Si/SiGe HBT s;
SiGe/Si HBT低频噪声特性研究
4)  SiGe/Si
SiGe/Si
1.
GROWTH KINETIC OF SiGe/Si PHOTOCHEMICAL VAPOR DEPOSITION;
光化学气相淀积SiGe/Si材料的机制分析
2.
Type Ⅱ SiGe/Si Multiple Quantum Wells Grown on Relaxed SiGe Virtual Substrate;
弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱
3.
Surface Reaction Mechanism of SiGe/Si Growth by UHV/CVD *;
UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学
5)  SiGe/Si heterostructure
SiGe/Si 异质结
1.
Abstract The synthesis of SiGe/Si heterostructure by Ge~+ implantation into Si is reported.
报道了利用高剂量 Ge~+注入制备 SiGe/Si 异质结的工作。
6)  SiGe/Si heterojunction
SiGe/Si异质结
1.
The SiGe technology is applied to the performance improvement of power semiconductor devices and the novel structure of SiGe/Si heterojunction p i n switching power diodes is presented.
将SiGe技术应用于功率半导体器件的特性改进 ,提出了新型SiGe/Si异质结p i n开关功率二极管结构 ,在分析器件结构机理的基础上 ,用Medici模拟了该器件的特性并进行了优化设计 。
参考词条
补充资料：Al-Si cast aluminium alloy
分子式：
CAS号：

性质：以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5％～25％，并添加镁、铜等元素，形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5％～13％的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13％以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。