1)  GeSi HBT
GeSiHBT
2)  GeSi HBT
GeSi HBT
1.
With the development of GeSi epitaxy technology, the performance of GeSi HBTs is already superior to Si BJTs, and to AlGaAs/GaAs HBTs and GaAs MESFETs in some aspects, so the GeSi HBTs have much prospect for wide applications.
随着GeSi外延技术的发展，GeSi HBT的性能远远优于Si BJT，并在某些方面优于AlGaAs/GaAs HBT、GaAs MESFET，所以GeSi HBT具有广阔的应用前景。
3)  GeSi
GeSi
1.
The Manufacture of P GeSi/P Si Photodetector;
P-GeSi/P-Si探测器的研制
2.
Investigation on 1.3 μm GeSi single waveguide electro optic switches with low power loss;
1.3μm GeSi单波导低功耗电光开关的探索
3.
Monolithic opto-electronic integration of GeSi modulator and photodetector;
GeSi调制器与探测器单片光电集成
4)  GeSi
锗硅
1.
GeSi quantum dots studied by grazing incidence small angle X-ray scattering;
锗硅量子点掠入射小角X射线散射研究
5)  GeSi
GeSi合金
6)  GeSi
Ge_xSi_（1-x）
参考词条
补充资料：锗硅固溶体
锗硅固溶体
Ge Si solid solution

   由锗和硅两种元素形成的溶解度无限的替位固溶体。又称锗硅合金。分为无定形、结晶型和超晶格3种。无定形锗硅固溶体主要用作太阳电池，其转换效率已达14.4％（理论值为20％）。结晶形锗硅固溶体分为单晶和多晶，主要用作温差电材料、红外和核辐射探测器材料。用作温差电材料的锗硅固溶体是一种高温材料，热端温度可达1000～1100℃，具有效率高（可达10％）、强度大、热稳定性好、抗辐射、重量轻等优点，常用于航天系统的温差发电器。超晶格是一种新型材料。它是由两种不同半导体薄层交替排列组成的周期列阵，通过在晶体衬底上一层叠一层地生长出两种不同半导体材料薄膜获得。可用作半导体光电子材料，如制作弹道晶体管和高电子迁移率晶体管、光电导探测器、集成光电子器件等。
   
   

用锗硅固溶体制作的半导体光电子元器件

用锗硅固溶体制作的半导体光电子元器件

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