1)  GaAs HBT
GaAs HBT
1.
A 4～8 GHz Monolithic GaAs HBT Double-Balanced Mixer;
4～8GHz GaAs HBT单片双平衡混频器
2)  GaAs HBT technology
GaAs HBT工艺
1.
A 12 Gbit/s limiting amplifier for fiber-optic transmission system is realized in a 2μm GaAs HBT technology.
用2μmGaAs HBT工艺实现了12 Gbit/s用于光纤传输系统的限幅放大器。
3)  GaInP/GaAs HBT
GaInP/GaAs HBT
4)  InGaP/GaAs HBT
InGaP/GaAs HBT
1.
An InGaP/GaAs HBT MIC Power Amplifier with Power Combining at the X-Band;
InGaP/GaAs HBT X波段混合集成功率合成放大器的研制(英文)
5)  HBT
HBT
1.
A Monolithic InGaP/GaAs HBT Power Amplifier Design with Improved Gain Flatness;
改善增益平坦度的新型InGaP/GaAs HBT功率放大器单片设计(英文)
2.
Impact of geometrical scaling on high-frequency noise in SiGe HBTs;
横向尺寸的变化对SiGe HBT高频噪声的影响(英文)
3.
InGaP/GaAs HBT High Speed Prescaler MMIC;
一种InGaP/GaAs HBT高速预分频器MMIC
6)  GaAs
GaAs
1.
Synthesis of nano-sized CeO_2 via alcohol-water method and its polishing performance on GaAs wafer;
纳米CeO_2的醇水法制备及其对GaAs晶片的抛光性能
2.
Ordered SiO_2 Colloidal Crystals Grown on GaAs Substrates;
垂直沉积法在GaAs衬底上制备有序SiO_2胶体晶体
3.
Indentation Induced Dislocations in GaAs Single Crystal;
压痕诱发GaAs单晶中的位错组态
参考词条
补充资料：GaAs epitaxial wafer
分子式：
CAS号：

性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。

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