1)  InGaP/GaAs HBT
InGaP/GaAsHBT
1.
A new simplified VBIC model for a single- or a multi-finger InGaP/GaAs HBT is presented.
测量和模型仿真I -V特性及其在多偏置条件下多频率点S 参数对比结果表明,DC~9GHz频率范围内,简化后的模型可对InGaP/GaAsHBT交流小信号特性进行较好的表征。
2.
A 10Gb/s driver IC for optic modulator has been implemented using our 4-inch InGaP/GaAs HBT process.
采用自行研发的 4英寸InGaP/GaAsHBT技术 ,设计和制造了 10Gb/s光调制器驱动电路 。
2)  InGaP/GaAs HBT
InGaP/GaAs异质结双极晶体管
1.
A Monolithic InGaP/GaAs HBT VCO for 5GHz Wireless Applications;
介绍了一种由商用InGaP/GaAs异质结双极晶体管工艺制成、基于负阻原理的单片压控振荡器,此电路定位于5GHz频段下的无线应用。
3)  InGaP/GaAs HBT
InGaP/GaAs HBT
1.
An InGaP/GaAs HBT MIC Power Amplifier with Power Combining at the X-Band;
InGaP/GaAs HBT X波段混合集成功率合成放大器的研制(英文)
4)  InGaP/GaAs HBT model
InGaP/GaAsHBT模型
5)  InGaP/GaAs HBT orientation effect
InGaP/GaAsHBT晶向效应
6)  InGaP/GaAs
InGaP/GaAs
1.
Structure and properties of InGaP/GaAs epilayers grown by solid-source molecular beam epitaxy with a GaP decomposition source;
分解GaP源固态分子束外延生长InGaP/GaAs的结构和性能
2.
DESIGN AND FABRICATION OF InGaP/GaAsDUALJUNCTION SOLAR CELLS;
InGaP/GaAs双结太阳电池的研制
3.
Design and Fabrication of InGaP/GaAs Tandem Solar Cells;
InGaP/GaAs串接太阳电池的设计与研制
参考词条
补充资料：下极


下极


　　解剖名。①会阴。出《难经·二 十八难》。②肛门。《难经·四十四难》：“下极为魄门”。③两目内眦的中间称额，亦名 下极。④横骨穴别名。见《针灸甲乙经》。属足少阴肾经，位于耻骨联合上缘中点旁开0.5 寸处。
　　
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