1)  GaInP/GaAs HBT
GaInP/GaAs HBT
2)  GalnP/GaAs/Ge
GaInP/GaAs/Ge
3)  GalnP/GaAs/Ge solar cell
GaInP/GaAs/Ge太阳电池
4)  GaInP/GaAs dual-junction tandem solar cell
GaInP/GaAs双结叠层太阳电池
1.
And as a result,the efficiency of GaInP/GaAs dual-junction tandem solar cells has reached to 23.
采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。
5)  HBT
HBT
1.
A Monolithic InGaP/GaAs HBT Power Amplifier Design with Improved Gain Flatness;
改善增益平坦度的新型InGaP/GaAs HBT功率放大器单片设计(英文)
2.
Impact of geometrical scaling on high-frequency noise in SiGe HBTs;
横向尺寸的变化对SiGe HBT高频噪声的影响(英文)
3.
InGaP/GaAs HBT High Speed Prescaler MMIC;
一种InGaP/GaAs HBT高速预分频器MMIC
6)  GaInP/(In)GaAs/Ge triple-junction cell
GaInP/（In）GaAs/Ge三结叠层太阳电池
参考词条
补充资料：GaAs epitaxial wafer
分子式：
CAS号：

性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。

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