1) HBT model
![点击朗读](/dictall/images/read.gif)
HBT模型
1.
Novel equations in terms of the current of the intrinsic collector and emitter are implemented to improve the fitting ability of a Ⅲ-Ⅴ compound HBT model.
对Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型本征集电极和发射极电流方程进行了改进,加强了模型的拟合能力。
3) pnp SiGe HBT
![点击朗读](/dictall/images/read.gif)
pnp型SiGe HBT
1.
Study on the Current Gain in PNP SiGe HBT and Ge-profile;
![点击朗读](/dictall/images/read.gif)
PNP型SiGe HBT的电流增益与Ge组分研究
2.
When designing the physical structure of pnp SiGe HBT,the higher value ofβand f T can be obtained through changing the Ge composition in base to vary the band-gap structure of it.
在进行pnp型SiGe HBT的设计时,通过改变基区Ge组分改变能带结构,从而获得较高的电流增益和截止频率。
4) SiGe HBT high frequency gain module
![点击朗读](/dictall/images/read.gif)
SiGe HBT高频增益模块
5) HBT (heterojunction bipolar transistor)
![点击朗读](/dictall/images/read.gif)
HBT(异质结双极型晶体管)
6) heterojunction bipolar transisters(HBT)
![点击朗读](/dictall/images/read.gif)
异质结双极型晶体管(HBT)
补充资料:AutoCad 教你绘制三爪卡盘模型,借用四视图来建模型
小弟写教程纯粹表达的是建模思路,供初学者参考.任何物体的建摸都需要思路,只有思路多,模型也就水到渠成.ok废话就不说了.建议使用1024X768分辨率
开始
先看下最终效果
第一步,如图所示将窗口分为四个视图
第二步,依次选择每个窗口,在分别输入各自己的视图
第三步,建立ucs重新建立世界坐标体系,捕捉三点来确定各自的ucs如图
第四步,初步大致建立基本模型.可以在主视图建立两个不同的圆,在用ext拉升,在用差集运算.如图:
第五步:关键一步,在此的我思路是.先画出卡爪的基本投影,在把他进行面域,在进行拉升高度分别是10,20,30曾t形状.如图:
第六步:画出螺栓的初步形状.如图
第七步:利用ext拉升圆,在拉升内六边形.注意拉升六边行时方向与拉升圆的方向是相反的.
之后在利用差集运算
第八步:将所得内螺栓模型分别复制到卡爪上,在利用三个视图调到与卡爪的中心对称.效果如图红色的是螺栓,最后是差集
第九步:阵列
第10步.模型就完成了
来一张利用矢量处理的图片
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条