1) HBT
HBT
1.
A Monolithic InGaP/GaAs HBT Power Amplifier Design with Improved Gain Flatness;
改善增益平坦度的新型InGaP/GaAs HBT功率放大器单片设计(英文)
2.
Impact of geometrical scaling on high-frequency noise in SiGe HBTs;
横向尺寸的变化对SiGe HBT高频噪声的影响(英文)
3.
InGaP/GaAs HBT High Speed Prescaler MMIC;
一种InGaP/GaAs HBT高速预分频器MMIC
2) HBT
异质结双极晶体管
1.
DC Performance of AlGaInP/GaAs HBT with Different Base/Collector Junction Structure;
不同集电结结构的AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管
2.
DC performance of AlGaInP/GaAs HBT;
AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管直流特性研究
3.
In this work,our modeling research focuses on two-step Ge profile base SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs) manufactured by IMEC advanced 0.
13μm准自对准SiGe BiCMOS工艺制成的基区Ge组分二阶分布结构SiGe异质结双极晶体管,在25~125℃温度范围内,对其进行了包括Early电压,Gummel图形等在内的完整双极晶体管特性曲线测量,提取了该器件在25~125℃范围内的温度可变Mextram504模型参数。
3) HBT
异质结晶体管
1.
Ultra High-Speed InP/InGaAs SHBTs with f_t of 210GHz;
f=210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管(英文)
2.
Parameters Extraction of SiGe HBTs and the Simulation of Its Performances;
Si/SiGe异质结晶体管的参数提取与特性模拟
3.
A Study on Modeling of Frequency Characteristics for SiGe HBT s;
SiGe异质结晶体管频率特性模型研究
4) HBT
异质结双极型晶体管
1.
SiGe HBT Class AB Power Amplifier for Wireless Communications;
用于无线通信的SiGe异质结双极型晶体管AB类功率放大器(英文)
2.
Frequency performance is the first key factor in the design of heterojunction bipolar transistor(HBT),fTand fmax are the main frequency parameters.
频率特性是异质结双极型晶体管(HBT)设计中应首先考虑的因素,而fT,fmax则是HBT最主要的频率性能指标。
3.
An InP-based single-heterojunction bipolar transistor(SHBT)with base μ-bridge and emitter air-bridge is reported.
报道了具有基极微空气桥和发射极空气桥结构的InP单异质结双极型晶体管(SHBT)。
5) HBT
异质结双极晶体管(HBT)
6) HBT
异质结双极晶体管器件
1.
This article compares the characteristics of GP (Gummel-Poon) model and VBIC (vertical bipolar Inter-company) model for hetero-junction bipolar transistors (HBT), especially for InGaP/GaAs HBT.
所研究的模型主要是针对异质结双极晶体管器件HBT特别是砷化镓异质结双极晶体管器件,在对常用的几种器件模型,如EM模型、GP模型和VBIC模型的特点做比较的基础上,详细介绍了一种基于IC-CAP系统的准确提取VBIC模型的方法。
参考词条
HBT correlation
SiGe HBT
SiGe HBT
SiGe HBT
GeSi HBT
GaAs HBT
SiGe HBT
SiGe HBT
SiGe-HBT
SiGeC HBT
SiGe HBT
RTD-HBT
SiGe HBT
HBT model
SiGe HBT
电学输运性能
加压活性污泥
补充资料:HBTU试剂O-(IH-苯并三唑-1-基)-N,N,N',N'-四甲基异脲六氟化磷
CAS: 94790-37-1
分子式: C11H16N5O.PF6
分子质量: 379.24
熔点: 200℃
中文名称: 苯并三唑-1-四甲基六氟磷酸酯;HBTU试剂O-(IH-苯并三唑-1-基)-N,N,N',N'-四甲基异脲六氟化磷
英文名称: 2-(1h-benzotriazol-1-yl)-1,1,3,3-tetramethyluronium hexafluorophosphate
o-benzotriazol-1-yl-tetramethyluronium hexafluorophosphate
hbtu
分子式: C11H16N5O.PF6
分子质量: 379.24
熔点: 200℃
中文名称: 苯并三唑-1-四甲基六氟磷酸酯;HBTU试剂O-(IH-苯并三唑-1-基)-N,N,N',N'-四甲基异脲六氟化磷
英文名称: 2-(1h-benzotriazol-1-yl)-1,1,3,3-tetramethyluronium hexafluorophosphate
o-benzotriazol-1-yl-tetramethyluronium hexafluorophosphate
hbtu
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