1)  Si/SiGe/Si HBT
Si/SiGe/Si HBT
1.
Studies on RF Si/SiGe/Si HBT;
射频Si/SiGe/Si HBT的研究
2)  HBT
HBT
1.
A Monolithic InGaP/GaAs HBT Power Amplifier Design with Improved Gain Flatness;
改善增益平坦度的新型InGaP/GaAs HBT功率放大器单片设计(英文)
2.
Impact of geometrical scaling on high-frequency noise in SiGe HBTs;
横向尺寸的变化对SiGe HBT高频噪声的影响(英文)
3.
InGaP/GaAs HBT High Speed Prescaler MMIC;
一种InGaP/GaAs HBT高速预分频器MMIC
3)  HBTMPDTP
HBT MPDTP
1.
STUDY ON SYNERGISTIC EXTRACTION OF Am AND Eu FROM NaNO_3 SOLUTION WITH HBTMPDTP-TBP;
HBT MPDTP-TBP协同萃取示踪量镅和铕的研究
4)  SiGe HBT
SiGe HBT
1.
Measurement and analysis of annealing factor and typical dc electronic parameters for SiGe HBT irradiated by neutrons and gamma rays in a pulsed reactor;
反应堆脉冲中子和γ射线辐照SiGe HBT器件的退火因子及典型直流参数测量分析
2.
Influence of Heterojunction Position on SiGe HBTs with Graded BC Junctions;
异质结位置对缓变集电结SiGe HBT性能的影响(英文)
3.
Optimized Compact Model and Parameter Extraction Method for SiGe HBT;
一种优化的SiGe HBT集约模型及参数提取方法
5)  GaAs HBT
GaAs HBT
1.
A 4～8 GHz Monolithic GaAs HBT Double-Balanced Mixer;
4～8GHz GaAs HBT单片双平衡混频器
6)  SiGe-HBT
SiGe-HBT
1.
Compared with Si-BJT and Si-FET(IC s),SiGe-HBT and SiGe-FET(IC s) have excellent characteristics in frequency and speed improvement.
从Si-BJT和Si-FET集成电路在提高频率、速度上的困难,到SiGe-HBT和SiGe-FET及其集成电路的优异特性,论述了SiGe半导体在Si基微电子技术发展中的重要作用;特别强调了应变增强载流子迁移率—应变工程技术的重要作用。
参考词条
补充资料：Al-Si cast aluminium alloy
分子式：
CAS号：

性质：以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5％～25％，并添加镁、铜等元素，形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5％～13％的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13％以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。