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1)  microwave power SiGe HBT
微波功率SiGe HBT
2)  power SiGe HBT
功率SiGe HBT
3)  pnp SiGe HBT
pnp型SiGe HBT
1.
Study on the Current Gain in PNP SiGe HBT and Ge-profile;
PNP型SiGe HBT的电流增益与Ge组分研究
2.
When designing the physical structure of pnp SiGe HBT,the higher value ofβand f T can be obtained through changing the Ge composition in base to vary the band-gap structure of it.
在进行pnp型SiGe HBT的设计时,通过改变基区Ge组分改变能带结构,从而获得较高的电流增益和截止频率。
4)  power HBT
功率HBT
1.
A power HBT with emitter size of (3μm×15μm)×16 is fabricated using base-emitter metal self-aligning process.
采用发射极 基极金属自对准工艺 ,成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT 。
5)  microwave HBTs
微波HBT
6)  SiGe HBT high frequency gain module
SiGe HBT高频增益模块
补充资料:高功率微波武器

一种新型的非杀伤性武器--高功率微波(hpm)武器已研制成功,并可以随时投入战场使用。美军之所以在对南联盟的空袭中没有使用它,是因为想暂时保留这种武器的神秘感,以便在未来的战争中对付军事技术更先进的敌人。

这种被称为hpm的武器是由制导炸弹或巡航导弹来进行投掷,当飞到目标附近几米时,爆炸产生的脉冲可以使计算机和通信设备中的电路失效,或擦除计算机内存。其作用距离在400米内,在天气好时该系统的有效范围有足球场大小,天气不好时范围会大大缩小。

洛斯·阿拉莫斯实验室研制非杀伤性武器的前负责人在前不久出版的《未来战争》一书中说,hpm和电磁脉冲(emp)武器的破坏原理就像近距离的雷电,极强的电磁脉冲通过"前门"和"后门"两途径进入电子设备。"前门"是指设备对外开放的通道(如天线),强电磁脉冲被直接导向目标设备。如果知道设备的接收频率,甚至可以通过巧妙的设计,造成更大的破坏效果。"后门"是指设备的导线、动力电缆、电话线、失效的屏蔽部件甚至屏蔽箱上的孔洞,驻波能量通过它们耦合到设备而造成破坏。hpm和emp的脉冲特性各异,电子设备的屏蔽措施难免顾此失彼,因此全面抗脉冲加固的费用是很大的。

美空军研制的常规爆炸驱动的hpm武器中,有一个产生有源电场的线圈,爆炸时压缩电磁场而产生电脉冲,因此这种装置被称为爆炸泵浦通量一压缩脉冲发生器。洛斯·阿拉莫斯实验室把武器的峰值输出功率增加到几十太瓦。同时,制导武器精度的提高,降低了对hpm武器的功率要求,可以使它小型化。

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