1)  Si_(1-x)Ge_x/Si HBT
Si_（1-x）Ge_x/Si HBT
2)  Si_(1-x)Ge_x/Si hetero-junction
Si_（1-x）Ge_x/Si异质结
3)  HBT
HBT
1.
A Monolithic InGaP/GaAs HBT Power Amplifier Design with Improved Gain Flatness;
改善增益平坦度的新型InGaP/GaAs HBT功率放大器单片设计(英文)
2.
Impact of geometrical scaling on high-frequency noise in SiGe HBTs;
横向尺寸的变化对SiGe HBT高频噪声的影响(英文)
3.
InGaP/GaAs HBT High Speed Prescaler MMIC;
一种InGaP/GaAs HBT高速预分频器MMIC
4)  HBTMPDTP
HBT MPDTP
1.
STUDY ON SYNERGISTIC EXTRACTION OF Am AND Eu FROM NaNO_3 SOLUTION WITH HBTMPDTP-TBP;
HBT MPDTP-TBP协同萃取示踪量镅和铕的研究
5)  SiGe HBT
SiGe HBT
1.
Measurement and analysis of annealing factor and typical dc electronic parameters for SiGe HBT irradiated by neutrons and gamma rays in a pulsed reactor;
反应堆脉冲中子和γ射线辐照SiGe HBT器件的退火因子及典型直流参数测量分析
2.
Influence of Heterojunction Position on SiGe HBTs with Graded BC Junctions;
异质结位置对缓变集电结SiGe HBT性能的影响(英文)
3.
Optimized Compact Model and Parameter Extraction Method for SiGe HBT;
一种优化的SiGe HBT集约模型及参数提取方法
6)  GaAs HBT
GaAs HBT
1.
A 4～8 GHz Monolithic GaAs HBT Double-Balanced Mixer;
4～8GHz GaAs HBT单片双平衡混频器
参考词条
补充资料：Al-Si cast aluminium alloy
分子式：
CAS号：

性质：以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5％～25％，并添加镁、铜等元素，形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5％～13％的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13％以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。