1)  SiGe HBT
硅锗异质结双极晶体管
2)  SiGe
硅锗
1.
Great interest has been devoted to one-dimensional SiGe nanoscale materials including SiGe nanowire heterostructures and nanotubes for the preparation of nanoscale devices owing to the excellent electrical and optical properties and the good compatibility with the present sillcon-based micro-electronics industry.
一维硅锗纳米复合材料,主要包括硅锗纳米线异质结与纳米管,具有优异的电学、光学等性能,易与现代以硅为基础的微电子工业相兼容,所以在纳米器件等领域得到了广泛重视。
3)  SiGe
硅-锗
4)  Silicon/germanium
硅/锗
5)  CSiGe
碳硅锗
1.
A Theoretical Study of Structure and Aromaticity of CSiGe Tetramer Clusters;
碳硅锗四原子团簇结构和芳香性的理论研究
6)  SiGe thin films
硅锗薄膜
1.
Annealing research of SiGe thin films on insulator;
绝缘体上硅锗薄膜的退火研究
参考词条
补充资料：异质结双极晶体管（heterojunctionbipolartransistor）
异质结双极晶体管（heterojunctionbipolartransistor）

简称HBT。将双极晶体管中的发射结做成异质结形成的晶体管称为异质结双极晶体管。双极晶体管中的异质结界面应做成突变结才能得到最高的少子注入效率。因为异质结宽带发射极的注入效率高，所以异质结双级晶体管的放大倍数将比同类型的普通双极晶体管高。如果不要求放大倍数十分高，则异质结注入比高的优点可利用来降低发射结的电容和基区的电阻，从而提高异质结双极晶体管的频率特性。如果将基区的组分做成渐变的形式，就相当于基区存在着一个等效电场，它将使注入的少子通过基区的渡越时间缩短，从而进一步提高异质结双极晶体管的频率响应。

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