1) SiGe HBT
锗硅异质结晶体管
1.
And making high linearitymicrowave power SiGe HBTs (heterojunction bipolar transistors) has been a projectwith high practical meaning.
锗硅技术因其良好的集成功能以及优越的高频性能而在微波功率器件领域和射频集成电路领域中得到了广泛的应用，而制造高线性度的微波功率锗硅异质结晶体管（SiGe HBT）也成为一个非常有实际意义的课题。
2) SiGe HBT
锗硅异质结双极晶体管
1.
Electrical performance of microwave transmission lines and passive elements on Si,and of SiGe HBT are analyzed.
本文阐述了硅材料用作微波集成电路衬底的优点 ,分析了硅衬底微波传输线、无源元件以及锗硅异质结双极晶体管 (Si Ge HBT)的电性能 ,介绍了目前国内外硅衬底微波集成电路研究的进展 ,并对数字电路与 RF及微波电路在硅衬底上混合集成的特点与应用作了讨
3) SiGe Heterojunction bipolar transistor(HBT)
锗硅异质结双极型晶体管
4) Si-Ge heterojunction
硅-锗异质结
5) SiGe heterostructure
锗硅异质结构
6) heterojunction bipolar transistor
异质结晶体管
1.
InGaP-GaAs thin base (8 nm) dual heterojunction material is grown by molecular beam extension ( MBE) , and a heterojunction bipolar transistor( HBT) with negative differential resistance ( NDR) characteristic is fabricated.
采用分子束外延方法生长了8 nm基区的InGaP-GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管。
2.
A thin base (8nm) InGaP/GaAs dual heterojunction material is grown by MBE and a heterojunction bipolar transistor (HBT) with negative differential resistance (NDR) is fabricated.
采用MBE方法生长了8nm基区的InGaP/GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管。
补充资料：单结晶体管
只有一个PN结作为发射极而有两个基极的三端半导体器件，早期称为双基极二极管。其典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区,两端做成欧姆接触的两个基极，在基区中心或者偏向其中一个极的位置上用浅扩散法重掺杂制成 PN结作为发射极(图中)。当基极B1和B2之间加上电压时（图中b），电流从B2流向B1,并在结处基区对B1的电势形成反偏状态。如果将一个信号加在发射极上，且此信号超过原反偏电势时，器件呈导电状态。一旦正偏状态出现，便有大量空穴注入基区，使发射极和B1之间的电阻减小，电流增大，电势降低，并保持导通状态，改变两个基极间的偏置或改变发射极信号才能使器件恢复原始状态。因此，这种器件显示出典型的负阻特性（见图c）,特别适用于开关系统中的弛张振荡器，可用于定时电路、控制电路和读出电路。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条