1) SiGeC HBT
SiGe CHBT
2) Si/SiGe
SiGe/Si
1.
Temperature Characteristics of Power Si/SiGe/Si HBT s;
功率SiGe/Si HBT的温度特性
2.
Effects of Layout Size on High-Frequency Noise Characteristics of Si/SiGe HBT s;
版图尺寸对SiGe/Si HBT高频噪声特性的影响
3.
Low-Frequency Noise Characteristics of Si/SiGe HBT s;
SiGe/Si HBT低频噪声特性研究
3) microcrystalline SiGe (μc-SiGe)
微晶SiGe(μc-SiGe)薄膜
4) SiGe alloy
SiGe合金
1.
Investigation on dislocation density of SiGe alloy grown by MBE;
分子束外延生长SiGe合金中位错密度的研究
2.
This paper presents a Raman method,which is no deconstructed,to measure Ge content and strain in SiGe alloy films and some samples,which is grown by UHV/CVD with different Ge content and thickness,have been tested by above method.
本文提出一种用Raman光谱测量SiGe合金膜中的锗组分及应变的方法 ,方法是非破坏的。
5) SiGe alloys
SiGe合金
1.
This paper includes two parts of work: one is the FT1R spectroscopy of SiGe alloys, the other is the relation of the Ge concentration and the thermoelectrical properties.
利用傅立叶红外光谱仪(FTIR)研究了CZ法制备的SiGe合金材料(单晶、多晶)的红外吸收谱图;2。
6) strained SiGe
应变SiGe
1.
Study on threshold voltage model of strained SiGe quantum well channel SOI PMOSFET;
应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究
2.
A strained Si/SiGe HCMOS structure was presented,in which tensile strained Si was used in n-MOSFET,and compressive strained SiGe was used in p-MOSFET,moreover,n-MOSFET and p-MOSFET were stacked vertically with a common SiGe gate in this structure.
提出了一种应变Si/SiGe异质结CMOS结构,采用张应变Si作n-MOSFET沟道,压应变SiGe作p-MOSFET沟道,n-MOSFET与p-MOSFET采用垂直层叠结构,二者共用一个多晶SiGe栅电极。
3.
Taking SOI structure as the substrate, the SOI MOSFET with strained SiGe channel is fabricated, which combines SOI structure and Si/Si.
集成电路进入深亚微米以后,传统的体硅CMOS寄生效应和迁移率不匹配问题亟待解决,针对体硅中器件尺寸缩小引起的寄生效应,可以采取SOI(Silicon on Insulator)结构,针对硅基CMOS电路中迁移率不匹配的缺点,可以采取Si/SiGe应变层异质结结构,本论文把SOI结构和Si/SiGe异质结技术结合起来,以SOI结构为衬底,制作成具有应变SiGe沟道的SOI MOSFET,从模型建立、单管和CMOS特性分析等几个方面对器件特性进行了研究。
补充资料：Al-Si cast aluminium alloy
分子式：
CAS号：
性质：以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5％～25％，并添加镁、铜等元素，形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5％～13％的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13％以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。
CAS号：
性质：以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5％～25％，并添加镁、铜等元素，形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5％～13％的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13％以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条