1) photoresist
[,fəutəuri'zist]
光刻胶
1.
Progress in the Research of Chemical Amplified Photoresist;
化学放大光刻胶高分子材料研究进展
2.
Research on thick photoresist mask electroplating process in micro-fabrication;
微加工厚光刻胶掩膜电镀工艺研究
3.
Key technique of photoresist through-mask Electrochemical micromachining;
光刻胶掩膜微细电化学加工参数的试验研究
2) resist
[英][rɪ'zɪst] [美][rɪ'zɪst]
光刻胶
1.
Comparison of Characteristics of Photoresists in Photoithography Process on Micromachining;
微制造光刻工艺中光刻胶性能的比较
2.
The status and development of lithography technology, such as coating,exposure(including light and exposure modes), resist and thick resist lithography were introduced.
着重从涂胶、曝光 (包括光源和曝光方式等 )、光刻胶和深度光刻等方面介绍了光刻技术的现状和未来的发展趋
3.
By applying negative resist PCMS, some new experimental results are obtained.
采用负性辐射线光刻胶聚氯甲基苯乙烯(PCMS),得到了一些新的实验结果。
3) photo resist
光刻胶
1.
The resolution of the BP-218 UV photo resist,which is produced in Beijing Institute of Chemical Reagents,was tested by these methods and a satisfactory result was got.
文章提出了三种微光学元件光刻对焦方法,并用它们对北京化学试剂研究所生产的BP-218紫外正型光刻胶的分辨率进行了测试,得到了满意的结果。
4) 193 nm photoresist
193nm光刻胶
1.
2-methyl adamantine-2-yl methacrylate and 2-ethyl adamantine-2-yl methacrylate are two important monomers of matrix polymer for 193 nm photoresist.
甲基丙烯酸(2-甲基-2-金刚烷)酯和甲基丙烯酸(2-乙基-2-金刚烷)酯是两个重要的193nm光刻胶主体树脂的单体。
5) 248 nm photoresists
248nm光刻胶
6) negative-working photoresist
负胶光刻
补充资料:光刻胶
又称光致抗蚀剂,由感光树脂、增感剂(见光谱增感染料)和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后,在曝光区能很快地发生光固化反应,使得这种材料的物理性能,特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理,溶去可溶性部分,得到所需图像(见图)。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。①光聚合型,采用烯类单体,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发单体聚合,最后生成聚合物,具有形成正像的特点。②光分解型,采用含有叠氮醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性,可以制成正性胶。③光交联型,采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。
感光树脂在用近紫外光辐照成像时,光的波长会限制分辨率(见感光材料)的提高。为进一步提高分辨率以满足超大规模集成电路工艺的要求,必须采用波长更短的辐射作为光源。由此产生电子束、X 射线和深紫外(<250nm)刻蚀技术和相应的电子束刻蚀胶,X射线刻蚀胶和深紫外线刻蚀胶,所刻蚀的线条可细至1μm以下。
感光树脂在用近紫外光辐照成像时,光的波长会限制分辨率(见感光材料)的提高。为进一步提高分辨率以满足超大规模集成电路工艺的要求,必须采用波长更短的辐射作为光源。由此产生电子束、X 射线和深紫外(<250nm)刻蚀技术和相应的电子束刻蚀胶,X射线刻蚀胶和深紫外线刻蚀胶,所刻蚀的线条可细至1μm以下。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条