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1)  photoresist ashing
光刻胶灰化
1.
In addition to the general process, the photoresist ashing technique is developed for achieving good quality gratings.
本文引入反应离子刻蚀进行光刻胶灰化处理新技术 ,成功地制作了每毫米 1 2 0 0线、闪耀波长为 1 30nm的锯齿槽形光栅 。
2)  Photoresist@P1ashing technique
光刻胶灰化工艺
3)  acid hardening resists
酸硬化光刻胶
4)  halide photoresist
卤化物光刻胶
5)  diazido-cyclized rubber photoresist
双叠氮-环化橡胶光刻胶
6)  photoresist [,fəutəuri'zist]
光刻胶
1.
Progress in the Research of Chemical Amplified Photoresist;
化学放大光刻胶高分子材料研究进展
2.
Research on thick photoresist mask electroplating process in micro-fabrication;
微加工厚光刻胶掩膜电镀工艺研究
3.
Key technique of photoresist through-mask Electrochemical micromachining;
光刻胶掩膜微细电化学加工参数的试验研究
补充资料:双叠氮-环化橡胶光刻胶
分子式:
CAS号:

性质:指用双叠氮化合物与经环化后的橡胶(如环化天然橡胶、环化聚异戊二烯橡胶)组成的混合体系,作为光刻胶使用。双叠氮化合物是光敏交联剂,光照下体系发生如下反应:从而聚合物分子间交联。该类型的光刻胶一般为环化橡胶的甲苯溶液,浓度为8%~10%。光敏交联剂加人量为环化橡胶的10%以下,增感剂可以用二苯甲酮或蒽酮等,加入量为5%左右。

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