1) dual layer resist
双层光刻胶
2) positive/negative bi-layer resist
正/负双层光刻胶
1.
A new technique of thick film lift-off with positive/negative bi-layer resist was presented first in this paper.
首次介绍一种正/负双层光刻胶厚膜剥离技术,采用在厚层正型光刻胶上涂薄层负型光刻胶的方法,在光刻胶的边缘形成顶层外悬的屋檐式结构,实现了10μm蒸发膜层的无高沿边缘剥离。
3) thick film photoresist
厚层光刻胶
1.
The angular spectrum theory is introduced to analyze optical diffraction lithography in thick film photoresist, and the reflection and transmission on the interface and the variation of dielectric coefficient in depth direction in thick film inhomogeneous resist are considered.
为快速、准确地获得厚层光刻胶内部衍射光场的分布,利用角谱理论的思想,考虑入射光通过掩模后在光刻胶面的反射、透射和光刻胶曝光过程中其折射率及吸收系数在深度方向上的变化,建立了衍射光场在厚层光刻胶中传输的理论模型。
4) laminated photoresist
叠层光刻胶
1.
The laminated photoresist sacrificial layer technology and residual stress control in micromirror fabrication were investigated.
对应用于微反射镜制作的叠层光刻胶牺牲层工艺及微反射镜表面残余应力控制进行了研究。
5) multilevel resist
多层光刻胶
6) multilayer photoresist technology
三层光刻胶工艺
补充资料：负性光刻胶
分子式：
CAS号：
性质：光加工是指以可见紫外光、X射线、电子束、或者离子束作为加工手段的材料处理工艺，具有加工精度高，容易自动化等特点，广泛用于集成电路和印刷电路板制造、印刷制版等领域。光加工用高分子材料指在光作用下材料物性或外形发生变化，以实现对被照材料本身或者被其覆盖材料加工处理的聚合材料。在这类材料中最重要的是在集成电路、激光照排制版和印刷电路制备中使用的光刻胶。根据光与聚合物之间发生的作用机理不同，可以分成光聚合或光交联型光刻胶，也称为负性光刻胶；光分解型光刻胶，也称为正性光刻胶。除了光刻胶之外，光敏涂料，光敏胶等在广义上也属于光加工高分子材料。采用激光引发聚合直接将聚合物零件加工成型的方法也引起工业界的广泛关注，成为结构复杂高分子零部件光加工用高分子材料中的重要成员，其特点是摆脱了模具束缚，可以完全由计算机设计、控制加工。
CAS号：
性质：光加工是指以可见紫外光、X射线、电子束、或者离子束作为加工手段的材料处理工艺，具有加工精度高，容易自动化等特点，广泛用于集成电路和印刷电路板制造、印刷制版等领域。光加工用高分子材料指在光作用下材料物性或外形发生变化，以实现对被照材料本身或者被其覆盖材料加工处理的聚合材料。在这类材料中最重要的是在集成电路、激光照排制版和印刷电路制备中使用的光刻胶。根据光与聚合物之间发生的作用机理不同，可以分成光聚合或光交联型光刻胶，也称为负性光刻胶；光分解型光刻胶，也称为正性光刻胶。除了光刻胶之外，光敏涂料，光敏胶等在广义上也属于光加工高分子材料。采用激光引发聚合直接将聚合物零件加工成型的方法也引起工业界的广泛关注，成为结构复杂高分子零部件光加工用高分子材料中的重要成员，其特点是摆脱了模具束缚，可以完全由计算机设计、控制加工。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条